计算机组成原理控制器实验报告,计算机组成原理 控制器实验报告

计算机组成原理 控制器实验报告

实验题目 控制器 小组合作 否 姓名 班级 12 级计本 班 学 号 一、实验目的 熟练掌握存储器的读写原理，完成“观察思考”的要求两人为组， 提交电子版实验报告：根据《指导书》中“观察思考”的要求，记 录实验过程和结果。实验心得体会。雷同报告的处理：得分为D， 并重做实验报告(仅一次机会) ；该次实验的最终成绩以二次实验报 告成绩为准。 掌握静态随机存储器 RAM 工作特性及数据的读写方法。 二．实验环境 实验室 三、实验内容与步骤 存储器实验原理图： 2、实验步骤： 形成时钟脉冲信号 T3。根据“2.3.7—10)” ，时序 电路的开关设置为： STOP=RUN、STEP=STEP 发单脉冲 STOP=RUN、 STEP=C(STEP=0) 发连续脉冲连线 ADDRESS UNIT 的 LDAR(单针)与 SWITCH UNIT 的 LDAR(双 针)的连接；MAIN MEM 单元的 A7～A0 与 EXT BUS 单元的 AD0～AD7 的连接(高、低位交叉连接)写存储器：写地址、写数 据。读存储器写地址、读存储器。 四、实验过程与分析 (1) 形成时钟脉冲信号 T3。具体接线方法和操作步骤如下： ① 接通电源，用示波器接入方波信号源的输出插孔 H23，调节 电位器 W1 及 W2 ，使 H23 端输出实验所期望的频率及占空比 的方波。 ② 将时序电路模块(STATE UNIT)单元中的 ф 和信号源单元 (SIGNAL UNIT)中的 H23 排针相连。 ③ 在时序电路模块中有两个二进制开关“STOP”和“STEP” 。将“STOP”开关置为“RUN”状 3 态、“STEP”开关置 为“C”状态时，按动微动开关 START，则 TS3 端即输出为 连续的方波信号，此时调节电位器 W1，用示波器观察，使 T3 输出实验要求的脉冲信号。当“STOP”开关置为“RUN”状态、 “STEP”开关置为“STEP”状态时，每按动一次微动开关 START，则 T3 输出一个单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。 若用 PC 联机软件中的示波器功能也能看到波形，可以代替真实 示波器。实验测得的实验频率和周期分别为： f=104.49HZ，T=9.57ms (2) 按图连接实验线路，仔细查线无误后接通电源。 (3) 写存储器 给存储器的 00、01、02、03、04 地址单元中分别写 入数据 11、12、13、14、15。 由上面的存储器实验原理图看出， 由于数据和地址全由一个数据开关来给出，这就要分时地给出。下 面的写存储器要分两个步骤，第一步写地址，先关掉存储器的片选 (CE=1) ，打开地址锁存器门控信号(LDAR=1) ，打开数据开关三 态门(SW-B=0) ，由开关给出要写存储单元的地址，按动 START 产生 T3 脉冲将地址打入到地址锁存器，第二步写数据，关掉地址锁存器门控信号(LDAR=0) ，打开存储器片选，使处于写状态 (CE=0，WE=1) ，由开关给出此单元要写入的数据，按动 START 产生 T3 脉冲将数据写入到当前的地址单元中。写其它单元依次循 环上述步骤。 写存储器流程如下：(以向 00 号单元写入 11 为 例) (4) 读存储器 依次读出第 00、01、02、03、04 号单元中的 内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。同写操作 类似，读每个单元也需要两步，第一步写地址，先关掉存储器的片 选(CE=1) ，打开地址锁存器门控信号(LDAR=1) ，打开数据开关 三态门(SW-B=0) ，由开关给出要写存储单元的地址，按动 START 产生 T3 脉冲将地址打入到地址锁存器；第二步读存储器，关掉地 址锁存器门控信号(LDAR=0) ，关掉数据开关三态门(SW-B=1) ， 片选存储器，使它处于读状态(CE=0，WE=0) ，此时数据总线上显示的数据即为从存储器当前地址中读出的数据内容。读其它单元依 次循环上述步骤。读存储器操作流程如下：(以从 00 号单元读出 1 1 数据为例。 (5)将存储单元内数据进行运算 在原来实验 连线的基础上，按如下所示图连线。 5 其中，由于某些端口需要重复连接，所以为防止出现运算错 误，借连接到其他端口上。 ，如：ALU-B 借连接到 299-B，LDDR1 借连接到 LDPC，LDDR2 借连接到 AR 上。 ① 进行读操作，读出 03 号地址中数据，然后置 SW-B=1,ALU- B=1(即使 299-B 开关置 1)， LDAR=0,CE=0,LDDR1=1(LDPC=1), LDDR2=0( AR=0),按动微动开关 KK2，则将 03 号地址中的数据 输入保存到 LDDR1 中。 ② 进行读操作,读出 04 号地址中数据,然后 SW-B, ALU-B, LDAR, CE 开关置数保持不 变,LDDR1=0,LDDDR2=1,按动微动开关 KK2，则将 04 号地址中数据输入保存到 LDDR2。 ② SW-B=1，ALU-B=0，CE=1,再分别将 S3、S2、S1、S0、M、Cn 分别置为 100101，则 3、4 号地址中数 据进行加法运算。 ④ 将结果送入 8 号单元，将 LDDR1，LDDR2 全置 0，然后按动 微动开关 KK2，将加法运算的结果送入 LDDR1 中，接着进行写 地址操作：CE=1，LDAR=1，SW-B=0，由开关给出地址 (00001000)，按动 START 键产生 T3 脉冲将地址打入地址锁存 器。然后写入数据： SW-B=0,ALU-B=0，按动 KK2 开关，将 LDDR1 中的数据输出到总线上，然后关闭地址锁存器 LDAR=0打开存储器片选，使 CE=0，WE=1，按动 START 开关将总线上 的数据写入到 8 号地址单元中。 五、实验总结 经过存储器试验，我深刻认识到存储器的工作原理，以及存储器在 写存储和读存储的过程。熟练地掌握了计算机五大模块之一的存储 器，在连线过程中我也能够更加熟练地连接线，有了很大的收获， 由于线路在写、读数据和进行运算时，线路有共用现象，所以在进 行写、读数据的时候要保持 ALU-B 关闭，在进行运算器运算时要关 闭片选 CE，否则会出现地址和数据混乱的情况，不能得到正确的输 入和输出结果，在实验的时候要特别注意。