晶体管共射极单管放大器_晶体管的三种接法 静态工作点和交流性能计算问题...

通过对单管共射放大电路的分析和计算，使得放大电路的组成原则更明确和具体了。放大的关键是发挥晶体管的控制作用。在共射电路中，晶体管的b-e为输入端，c-e为输出端，利用iB对iC的控制作用，实现了电流放大和电压放大。有没有其他的控制关系呢？比如，能不能用iB去控制iE？用iE去控制iC？用iC去控制iE？在实现这些控制的过程中，电路能不能得到功率的放大？我们先把这几种电流控制关系的示意图表示在下图中，以便分析和比较。图a是iB对iC的控制，是以e极为公共端，这就是前面介绍过的共射接法;图b是iB对iE的控制，以c极为公共端，称为共集接法;图c和图d是共基接法。下面我们分别分析后两种接法组成的放大电路。

共集放大电路

一。电路的组成

如前所述，电路要能放大，晶体管应工作在放大区，即UBE》0，UBC《0，所以电源和电阻的设置要满足这些条件。其基本电路如图所示.VBB和Rb及Re相配合，给晶体管设置合适的基极电流;VCC提供了晶体管的集电极电流和输出电流。交流信号ui从基极输入，产生变化的基极电流iB，再通过晶体管得到了放大了的iE，而变化的iE流过电阻Re得到了变化的电压，从发射极输出。对于交流信号来说，集电极是公共端，所以是共集放大电路。