前言
开始写点博客记录学习的点滴,先写点基础模电知识,第一篇就写基本的共射极放大电路吧。
很多教材都是偏重理论,而铃木雅臣著作的《晶体管电路设计》是一本很实用的书籍,个人十分推荐!
下面开始我的模电重温之旅吧。
放大电路的基本原理
1.“放大”的本质是实现能量的控制。即小能量对大能量的控制。
2.双极型三极管(BJT)和场效应管(FET)是常用的放大元件。三极管是电流控制元件,场效应管是电压控制元件。
3.BJT放大电路有三种基本组态:共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路。例如:输入回路和输出回路的公共端是三极管的发射极,称为共射放大电路。通俗来说就是输入端连基极,输出端连集电极,就剩发射极为公共端,故称为共射极放大电路。
共射极放大电路分析
下图为单管共射放大电路
首先静态分析,即分析未加交流输入信号时的电路各处直流电压和直流电流;再动态分析,即分析加上输入交流信号时的工作状态。
1.电容对直流信号阻抗为无穷大(相当于开路);对交流信号阻抗为 1 ω C \frac{1}{\omega{C}} ωC1,电容足够大时相当于短路。
2.电感对直流信号阻抗为零(相当于短路),对交流信号阻抗为 ω L \omega{L} ωL。
3.对于理想电压源,因其电压恒定不变,电压变化量为零,故在交流通路中相当于短路。
4.对于理想电流源,因其电流恒定不变,电流变化量为零,故在交流通路中相当于开路。
静态分析
下图为直流通路
静态基极电流:
I B Q = V C C − U B E Q R b I_{BQ}=\frac{V_{CC}-U_{BEQ}}{R_b} IBQ=RbVCC−UBEQ
硅 管 : U B E Q = ( 0.6 − 0.8 ) V 硅管:U_{BEQ}=(0.6-0.8)V 硅管:UBEQ=(0.6−0.8)V 锗 管 : U B E Q = ( 0.1 − 0.3 ) V 锗管:U_{BEQ}=(0.1-0.3)V 锗管:UBEQ=(0.1−0.3)V
静态集电极电流:
I C Q ≈ β I B Q I_{CQ}\approx{
{\beta}I_{BQ}} ICQ≈βIBQ
集电极与发射极间的电压:
U C E Q = V C C − I C Q R c U_{CEQ}=V_{CC}-I_{CQ}{R_c} UCEQ=VCC−ICQRc
动态分析
下图为交流通路
其微变等效电路如下
输入电压正弦相量: U ˙ i = I ˙ b r b e \dot{U}_i=\dot{I}_br_{be} U˙i=I˙brbe
输出电压正弦相量: U ˙ o = − I ˙ c R L ′ \dot{U}_o=-\dot{I}_cR^{\prime}_{L} U˙o=−I˙cRL′
集电极电流正弦相量与基极电流正弦量间的关系: I ˙ c = β I ˙ b \dot{I}_c=\beta\dot{I}_b I˙c=βI˙b
电压放大倍数: A ˙ u = U ˙ o U ˙ i = − β R L ′ r b e \dot{A}_u=\frac{\dot{U}_o}{\dot{U}_i}=-\frac{
{\beta}R^{\prime}_L}{r_{be}} A˙u=U˙iU˙o=−rbeβRL′
输入电阻(越大越好。越大,说明对信号源索取的电流越小): R i = r b e / / R b ( 输 入 电 阻 不 含 信 号 源 内 阻 ) R_i=r_{be}//R_b(输入电阻不含信号源内阻) Ri=rbe//Rb(输入电阻不含信号源内阻)
输出电阻(越小越好。越小,说明带负载能力越强): R 0 = R c ( 输 出 电 阻 不 含 负 载 ) R_0=R_c(输出电阻不含负载) R0=Rc(输出电阻不含负载)
二极管方程: i E = I S ( e u B E / U T − 1 ) i_E=I_S(e^{u_{BE}/U_T}-1) iE=IS(euBE/UT−1)
由于三极管工作在放大区时发射结正偏,所以 i E ≈ I S e u B E / U T i_E{\approx}I_Se^{u_{BE}/U_T} iE≈ISeuBE/UT
对 U B E U_{BE} UBE求导得 1 r e ′ b ′ = d i E d u B E ≈ I S U T e u B E / U T ≈ i E U T \frac{1}{r_{e^{\prime}b^{\prime}}}=\frac{di_E}{du_{BE}}\approx\frac{I_S}{U_T}e^{u_{BE}/U_T}\approx\frac{i_E}{U_T} re′b′1=