晶体管放大电路与Multisim仿真学习笔记

前言

开始写点博客记录学习的点滴,先写点基础模电知识,第一篇就写基本的共射极放大电路吧。
很多教材都是偏重理论,而铃木雅臣著作的《晶体管电路设计》是一本很实用的书籍,个人十分推荐!
下面开始我的模电重温之旅吧。

放大电路的基本原理

1.“放大”的本质是实现能量的控制。即小能量对大能量的控制。
2.双极型三极管(BJT)和场效应管(FET)是常用的放大元件。三极管是电流控制元件,场效应管是电压控制元件
3.BJT放大电路有三种基本组态:共射极放大电路、共基极放大电路、共集电极放大电路。例如:输入回路和输出回路的公共端是三极管的发射极,称为共射放大电路。通俗来说就是输入端连基极,输出端连集电极,就剩发射极为公共端,故称为共射极放大电路。

共射极放大电路分析

下图为单管共射放大电路
单管共射放大电路
首先静态分析,即分析未加交流输入信号时的电路各处直流电压和直流电流;再动态分析,即分析加上输入交流信号时的工作状态。
1.电容对直流信号阻抗为无穷大(相当于开路);对交流信号阻抗为 1 ω C \frac{1}{\omega{C}} ωC1,电容足够大时相当于短路。
2.电感对直流信号阻抗为零(相当于短路),对交流信号阻抗为 ω L \omega{L} ωL
3.对于理想电压源,因其电压恒定不变,电压变化量为零,故在交流通路中相当于短路。
4.对于理想电流源,因其电流恒定不变,电流变化量为零,故在交流通路中相当于开路。

静态分析

下图为直流通路
直流通路
静态基极电流:
I B Q = V C C − U B E Q R b I_{BQ}=\frac{V_{CC}-U_{BEQ}}{R_b} IBQ=RbVCCUBEQ
硅 管 : U B E Q = ( 0.6 − 0.8 ) V 硅管:U_{BEQ}=(0.6-0.8)V UBEQ=(0.60.8)V 锗 管 : U B E Q = ( 0.1 − 0.3 ) V 锗管:U_{BEQ}=(0.1-0.3)V UBEQ=(0.10.3)V
静态集电极电流:
I C Q ≈ β I B Q I_{CQ}\approx{{\beta}I_{BQ}} ICQβIBQ
集电极与发射极间的电压:
U C E Q = V C C − I C Q R c U_{CEQ}=V_{CC}-I_{CQ}{R_c} UCEQ=VCCICQRc

动态分析

下图为交流通路
交流通路
其微变等效电路如下
微变等效电路
输入电压正弦相量: U ˙ i = I ˙ b r b e \dot{U}_i=\dot{I}_br_{be} U˙i=I˙brbe
输出电压正弦相量: U ˙ o = − I ˙ c R L ′ \dot{U}_o=-\dot{I}_cR^{\prime}_{L} U˙o=I˙cRL
集电极电流正弦相量与基极电流正弦量间的关系: I ˙ c = β I ˙ b \dot{I}_c=\beta\dot{I}_b I˙c=βI˙b
电压放大倍数 A ˙ u = U ˙ o U ˙ i = − β R L ′ r b e \dot{A}_u=\frac{\dot{U}_o}{\dot{U}_i}=-\frac{{\beta}R^{\prime}_L}{r_{be}} A˙u=U˙iU˙o=rbeβRL
输入电阻(越大越好。越大,说明对信号源索取的电流越小): R i = r b e / / R b ( 输 入 电 阻 不 含 信 号 源 内 阻 ) R_i=r_{be}//R_b(输入电阻不含信号源内阻) Ri=rbe//Rb()
输出电阻(越小越好。越小,说明带负载能力越强): R 0 = R c ( 输 出 电 阻 不 含 负 载 ) R_0=R_c(输出电阻不含负载) R0=Rc()
二极管方程: i E = I S ( e u B E / U T − 1 ) i_E=I_S(e^{u_{BE}/U_T}-1) iE=IS(euBE/UT1)
由于三极管工作在放大区时发射结正偏,所以 i E ≈ I S e u B E / U T i_E{\approx}I_Se^{u_{BE}/U_T} iEISeuBE/UT
U B E U_{BE} UBE求导得 1 r e ′ b ′ = d i E d u B E ≈ I S U T e u B E / U T ≈ i E U T \frac{1}{r_{e^{\prime}b^{\prime}}}=\frac{di_E}{du_{BE}}\approx\frac{I_S}{U_T}e^{u_{BE}/U_T}\approx\frac{i_E}{U_T} reb1=duBEdiEUTISeuBE/UTUTiE
常温时 U T ≈ = 26 m V U_T\approx=26mV UT=26mV,在静态工作点附近较小变化范围内可认为 i E ≈ I E Q i_E{\approx}I_{EQ} iEIEQ,忽略 r e ′ r_e^\prime re可得 u B E ≈ i B r b b ′ + i E r e ′ b ′ = i B r b b ′ + ( 1 + β ) 26 ( m V ) I E Q u_{BE}{\approx}i_Br_{bb^\prime}+i_Er_{e^{\prime}b^{\prime}}=i_Br_{bb^\prime}+(1+\beta)\frac{26(mV)}{I_{EQ}} uBEiBrbb+iEreb=iBrbb+(1+β)IEQ26(mV)
i B i_B iB求导得 r b e ≈ r b b ′ + ( 1 + β ) 26 ( m V ) I E Q r_{be}{\approx}r_{bb^\prime}+(1+\beta)\frac{26(mV)}{I_{EQ}} rberbb+(1+β)IEQ26(mV)
对于低频小功率三极管一般 r b b ′ r_{bb^\prime} rbb约为300 Ω \Omega Ω。同等条件下若 β ↑ \beta\uparrow β,则 r b e ↑ r_{be}\uparrow rbe,由电压放大倍数公式 A ˙ u = − β I ˙ b r b e \dot{A}_u=-\frac{\beta\dot{I}_b}{r_{be}} A˙u=rbeβI˙b可知,增大 β \beta β并不能按比例提高 A ˙ u \dot{A}_u A˙u β \beta β一定时, I E Q ↑ I_{EQ}\uparrow IEQ,则 r b e ↓ r_{be}\downarrow rbe,可见适当提高 I E Q I_{EQ} IEQ可得到较大的 A ˙ u \dot{A}_u A˙u

调整静态工作点的方法

1.改变基极电阻。
2.改变集电极电阻。
3.改变电流放大系数 β \beta β
4.改变直流电源。
0
集电极电位 U C U_{C} UC取电源 V C C V_{CC} VCC与发射极间的电压一半时,不易出现饱和失真和截止失真。
R c R_c Rc过小,导致集电极电位靠近电源电压,可能出现顶部失真;过大会导致集电极电位靠近地,可能出现底部失真。
因为直流电源电压是不变的,所以集电极电压变化量与 R c R_c Rc两端电压变化量幅值相同,相位相反,即输出电压会反向。

分压式工作点稳定电路设计方法

基本电路图如下
分压式工作点稳定电路

例:设计电压增益4倍,最大输出电压为 3 V p − p 3V_{p-p} 3Vpp的共发射极放大电路。

1. 确定直流电源电压

因为最大输出电压为 3 V p − p 3V_{p-p} 3Vpp,故需要3V以上电源电压;又因为为使集电极电流流动,而发射极电阻 R e R_e Re上的压降最低要求1 ~ 2V,所以电源电压最低要4 ~ 5V。这里可选用12V电源电压。

2. 选择晶体管

1.考虑频率特性。
2. I C M I_{CM} ICM(集电极最大允许电流)。
3. U C B O U_{CBO} UCBO U C E O U_{CEO} UCEO U E B O U_{EBO} UEBO(极间反向击穿电压)。
4. P C M P_{CM} PCM(集电极最大允许耗散功率),要满足 u C E i c < P C M u_{CE}i_{c}<P_{CM} uCEic<PCM
5.考虑放大倍数。
这里选用通用小信号晶体管2N5551。

3. 确定发射极电流工作点

小信号共射放大电路 I E I_E IE一般可0.1mA至数毫安,可以查阅三极管数据手册查询频率特性与射极电流的关系,这里取 I E = 4 m A I_E=4mA IE=4mA

4. 确定 R c R_c Rc R e R_e Re

因为工作在放大区时发射结正偏,所以基极端子的交流部分电位(= v i v_i vi)直接出现在发射极,因此,由交流输入电压 v i v_i vi引起的交流变化 Δ i e {\Delta}i_e Δie Δ i e = v i / R e {\Delta}i_e=v_i/R_e Δie=vi/Re此外,集电极电流交流变化部分为 Δ i c {\Delta}i_c Δic,则 v c v_c vc的交流变化部分 Δ v c {\Delta}v_c Δvc Δ v c = Δ i c R c {\Delta}v_c={\Delta}i_cR_c Δvc=ΔicRc因为 Δ i c ≈ Δ i e {\Delta}i_c{\approx}{\Delta}i_e ΔicΔie,所以 Δ v c = v i R e R c {\Delta}v_c=\frac{v_i}{R_e}R_c Δvc=ReviRc
又因为耦合电容 C 2 C_2 C2 v c v_c vc直流成分截去,所以 A u ˙ = v o v i = Δ v c v i = R c R e \dot{A_u}=\frac{v_o}{v_i}=\frac{{\Delta}v_c}{v_i}=\frac{R_c}{R_e} Au˙=vivo=viΔvc=ReRc由上式可知电压放大倍数由 R c R_c Rc R e R_e Re之比决定,所以 R c : R e = 4 : 1 R_c:R_e=4:1 Rc:Re=4:1

为吸收 V B E V_{BE} VBE随温度的变化,使工作点(集电极电流)稳定, R e R_e Re的直流压降必须1V以上(因为硅管 U C E Q U_{CEQ} UCEQ约为0.7V,而它具有 − 2.5 m V / ∘ C -2.5mV /^{\circ}C 2.5mV/C的温度特性)。

U C E U_{CE} UCE ( V C C − U E ) / 2 (V_{CC}-U_E)/2 (VCCUE)/2时,工作点Q的对称性最好,不易出现饱和失真截止失真
为方便计算,这里取 U C E = V C C 2 = 6 V U_{CE}=\frac{V_{CC}}{2}=6V UCE=2VCC=6V,所以 I C R c + I E R e ≈ I C ( R c + R e ) = 6 V I_CR_c+I_ER_e{\approx}I_C(R_c+R_e)=6V ICRc+IEReIC(Rc+Re)=6V所以 R e + R c = 1.5 k Ω R_e+R_c=1.5k\Omega Re+Rc=1.5kΩ,得 R E = 300 Ω R_E=300\Omega RE=300Ω R C = 1.2 k Ω R_C=1.2k\Omega RC=1.2kΩ

5. 基极偏置电路的设计

R e R_e Re的压降为 U E = I E R E = 1.2 V U_E=I_ER_E=1.2V UE=IERE=1.2V,所以 U B = U E + U B E = 1.9 V U_B=U_E+U_{BE}=1.9V UB=UE+UBE=1.9V又因为 I B = β I C I_B=\beta{I_C} IB=βIC,这里假设理想认为 β = 100 \beta=100 β=100,所以 I B = 40 u A I_B=40uA IB=40uA因为基极电位是由 R 1 R_1 R1 R 2 R_2 R2对电源电压进行分压得到的,又因为流过 R 1 R_1 R1 R 2 R_2 R2的直流电流要远大于基极电流,从而忽略基极电流,一般取 I 2 = 10 I B = 0.4 m A I_2=10I_B=0.4mA I2=10IB=0.4mA,所以 I 1 = I 2 − I B = 0.36 m A I_1=I_2-I_B=0.36mA I1=I2IB=0.36mA,得 R 2 = U B I 1 = 1.9 V 0.36 m A = 5.28 k Ω , 取 标 称 值 5.1 k Ω R_2=\frac{U_B}{I_1}=\frac{1.9V}{0.36mA}=5.28k\Omega,取标称值5.1k\Omega R2=I1UB=0.36mA1.9V=5.28kΩ5.1kΩ R 1 = V C C − U B I 1 = 10.1 V 0.4 m A = 25.25 k Ω , 取 标 称 值 24 k Ω R_1=\frac{V_{CC}-U_B}{I_1}=\frac{10.1V}{0.4mA}=25.25k\Omega,取标称值24k\Omega R1=I1VCCUB=0.4mA10.1V=25.25kΩ24kΩ

6. 确定耦合电容

如下图, C 1 C_1 C1是将基极的直流电压截去,仅让交流成分输入的耦合电容, C 2 C_2 C2是将集电极的直流电压截去,仅让交流成分输出的耦合电容,此外,两者分别与输入阻抗、负载电阻形成高通滤波器。

共射极放大电路的高通滤波器
C 1 = 22 u F C_1=22uF C1=22uF,则由 C 1 C_1 C1形成的高通滤波器截止频率 f c 1 = 1 2 π R C = 1 2 π × 22 u F × 4.2 k Ω ≈ 3.88 H z f_{c_1}=\frac{1}{2{\pi}RC}=\frac{1}{2{\pi}\times22uF\times4.2k\Omega}\approx3.88Hz fc1=2πRC1=2π×22uF×4.2kΩ13.88Hz而由 C 2 C_2 C2形成的高通滤波器截止频率与负载电阻有关,需根据需求设计,这里取 C 2 = 22 u F C_2=22uF C2=22uF

7. 加入去耦电容

在电源端加入去耦电容,可降低电源对地的交流阻抗,旁路掉高频噪声。
大电容在低频时阻抗低,小电容在高频时阻抗低,这里分别取10uF和0.1uF。

8. Multisim仿真验证

设置好参数,仿真结果如下

1
可见电压放大倍数 A u ˙ = 388 m V 100 m V ≈ 3.88 = 11.78 d B \dot{A_u}=\frac{388mV}{100mV}\approx3.88=11.78dB Au˙=100mV388mV3.88=11.78dB,可见基本满足了设计要求。输入输出波形如下图

2

放大电路的性能

输入阻抗

在测试中,采用在信号源上串联电阻来测试输入阻抗,如下图所示

4
调试滑动变阻,使得 R 4 R_4 R4分压一半的电压,即测得输入阻抗,可见输入阻抗为 3.8 k Ω 3.8k\Omega 3.8kΩ
通过理论计算得 R i = [ r b e + ( 1 + β ) R e ] / / R 1 / / R 2 = 42 k Ω / / 5.1 k Ω / / 24 k Ω ≈ 3.8 k Ω R_i=[r_{be}+(1+\beta)R_e]//R_1//R2=42k\Omega//5.1k\Omega//24k\Omega\approx3.8k\Omega Ri=[rbe+(1+β)Re]//R1//R2=42kΩ//5.1kΩ//24kΩ3.8kΩ
可见测得的结果和理论计算一样。

输出阻抗

测试方法是测出不接负载电阻时的输出电压,由前面可知为388mA;再接上负载电阻,调整其阻值使负载两端的电压为无负载时输出电压的一半,如下图所示
5
测得的输出阻抗为 1.2 k Ω 1.2k\Omega 1.2kΩ
通过理论计算得 R o = R c = 1.2 k Ω R_o=R_c=1.2k\Omega Ro=Rc=1.2kΩ

频率特性

该电路频率特性如下图所示
3

失真分析

6

改进放大倍数

接入的负载阻值大小会影响电压放大倍数,由公式 A ˙ u = − β R L ′ r b e + ( 1 + β ) R e \dot{A}_u=-\frac{{\beta}R^{\prime}_L}{r_{be}+(1+\beta)R_e} A˙u=rbe+(1+β)ReβRL可知, R c R_c Rc越小,带负载能力越强。改变 R e R_e Re交流通路时的阻值,静态工作点基本不变,但可改变电压放大倍数,通过加入旁路电容可实现上述方法,如下图所示

7
R e R_e Re分成两个电阻,例如现要得到20倍电压放大,通过公式 A u ˙ = R c R e 1 \dot{A_u}=\frac{R_c}{R_{e1}} Au˙=Re1Rc,得 R e 1 = 60 Ω R_{e1}=60\Omega Re1=60Ω,取标称 56 Ω 56\Omega 56Ω,则 R e 2 R_{e2} Re2取标称值 240 Ω 240\Omega 240Ω
实际测得 A u ˙ = 1.871 V 0.1 V = 18.71 倍 \dot{A_u}=\frac{1.871V}{0.1V}=18.71倍 Au˙=0.1V1.871V=18.71,与前面计算上存在偏差,实际上还需考虑β和基极与发射极间电压的影响,由电压放大倍数 A ˙ u = − β R L ′ r b e + ( 1 + β ) R e = β R C r b e + ( 1 + β ) R e 1 = 133 × 1.2 k Ω ( 300 + ( 1 + 133 ) × 26 m V 4.176 m A ) Ω + ( 1 + 133 ) × 56 Ω ≈ 18.47 倍 \dot{A}_u=-\frac{{\beta}R^{\prime}_L}{r_{be}+(1+\beta)R_e}=\frac{{\beta}R_C}{r_{be}+(1+\beta)R_{e1}}=\frac{133\times1.2k\Omega}{(300+(1+133){\times}{\frac{26mV}{4.176mA}})\Omega+(1+133)\times56\Omega}\approx18.47倍 A˙u=rbe+(1+β)ReβRL=rbe+(1+β)Re1βRC=(300+(1+133)×4.176mA26mV)Ω+(1+133)×56Ω133×1.2kΩ18.47
与实际测得的电压放大倍数基本相同,其中 r b e r_{be} rbe是一般理想取值,所以存在些许误差。
另一种接法如下图,效果是一样的

8
R e R_e Re直接接旁路电容,则可得最大电压放大倍数 h F E h_{FE} hFE为173.3倍(44.8dB),如下图
9
因为此时交流发射极电阻几乎为0,计算上交流放大倍数应为无穷大,但实际上为有限值,该值即为最大电压放大倍数。严格考虑, A u = h F E R C h I E A_u=\frac{h_{FE}R_C}{h_{IE}} Au=hIEhFERC h I E h_{IE} hIE为晶体管输入阻抗常数
但观察其输出波形,可观察到发生失真,如下图
10
频率特性如下图所示
11
可见选择大电容不影响放大,其电容值影响频率特性,公式为 f c = 1 2 π R C f_{c}=\frac{1}{2{\pi}RC} fc=2πRC1

本篇完结,嘻嘻

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