本实用新型涉及通信领域,特别是涉及一种用于射频功率放大器的偏置电路。本实用新型还涉及一种具有所述偏置电路的射频功率放大器,
背景技术:
射频功率放大器(RF PA)是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大:缓冲级、中间放大级、末级功率放大级,获得足够的射频功率以后,才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器。
参考图2所示,基极镇流电阻Rb是射频功率放大器正常工作所必须具有的,随着基极镇流电阻Rb的增加,射频功率放大器在热稳定上越可靠。但随着基极镇流电阻阻抗的增加对射频功率放大器的线性度会产生不利的影响,Cb是电容,B是BJT。
参考图3所示,不同的基极镇流电阻值会对射频放大器的功率增益造成不同影响,较小的基极镇流电阻值能够导致一定的增益扩张,这样射频放大器的线性度较好。
从集成电路设计需求角度分析,射频放大器的偏置电路,既能提高射频功率放大器的线性度,又能保证放大器件的热稳定性。
技术实现要素:
本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于射频功率放大器的偏置电路,既能提高射频功率放大器的线性度,又能够保证射频功率放大器的热稳定性。本实用新型还提供了一种具有上述偏置电路的射频功率放大器。
为解决上述技术问题,本实用新型提供用于射频功率放大器的偏置电路,包括:串联的偏置电路一和偏置电路二;
偏置电路一的第一端连接放大器件的基极,其第二端连接偏置电路二的第一端,偏