flash写保护原理_NOR Flash擦写和原理分析（二）

最新推荐文章于 2024-07-18 15:47:57 发布

weixin_40002692

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文章标签： flash写保护原理

本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_40002692/article/details/111839654

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本文详细介绍了NOR Flash的读取、ID获取、扇区擦除和编程操作，包括相应的命令序列和模式切换。在编程与擦除过程中，通过DQ7、RY/BY#、DQ6等状态位监测操作状态。还提供了Am29LV800D的读ID、扇区擦除和编程的示例代码。

摘要由CSDN通过智能技术生成

Nor Flash上电后处于数据读取状态(Reading Array Data)。此状态可以进行正常的读。这和读取SDRAM/SRAM/ROM一样。(要是不一样的话，芯片上电后如何从NorFlash中读取启动代码。~)

一般再对Flash进行操作前都要读取芯片信息比如设备ID号。这样做的主要目的是为了判断自己写的程序是否支持该设备。Nor Flash支持2种方式获取ID号。一种是编程器所用的方法需要高电压(11.5V-12.5V)。另一种方法就是所谓的in-system方法，就是在系统中通过NorFlash的命令寄存器来完成。本文中只对in-system方法进行说明。此时需要切换到自动选择(Autoselect Command),这要通过发送命令来完成。命令类型见下图。注意：

进入自动选择(Autoselect Command)模式后需要发送复位命令才能回到数据读取状态(Reading Array Data)。

在完成信息获取后一般就要擦除数据。NorFlash支持扇区擦(Sector Erase)除和整片擦除(Chip Erase)。这2种模式都有对应的命令序列。在完成擦除命令后会自动返回到数据读取(Reading Array Data)状态。在返回前可查询编程的状态。

完成擦除后就需要对芯片进行写入操作也就是编程。这就需要进入编程(Program)状态。在完成编程命令后会自动返回到数据读取(Reading Array Data)状态。在返回前可查询编程的状态。注意：编程前一定要先擦除。因为编程只能将’1’改写为’0’，通过擦写可以将数据全部擦写为‘1’。

以上是主要的操作其他操作还有写保护等，请参考芯片数据手册。

图1-1命令与模式

(2) Nor Flash硬件连接

图2-1 Nor Flash引脚