c语言指针flash,STM32F103RCT6之FLASH读写操作

一、STM32F103的FLASH简介

1、如图所示，STM32F103内部FLASH存储区分为三个区域：主存储区、信信息块和闪存存储器接口寄存器。

储存储区是我们读写FLASH的主要的存储区，MCU程序以及一些需要掉电保存的数据都是存储在这个区域的。

信息快：程序启动代码被存储在这部分。

最后的寄存器则是FLASH读写需要配置的一些寄存器位置。

主存储器的起始位置0x08000000，除去程序占用的空间，剩余部分就可以作为数据保存的区域了，所以在利用内部FLASH存储数据的时候，一定不要占用程序本身所占用的空间，否则会导致死机。

主存储器一共256页，每页2K字节长度。

二、FLASH存储寄存器的配置

1、FPEC键寄存器：

在读写FLASH之前必须进行解锁FPEC，通过该寄存器，向该寄存器写入键值。当要操作FLASH时，需要将相应键值KEY1和KEY2写入寄存器中，同理，操作完成后，还要锁定该FLASH。

2、控制寄存器FLASH_CR

LOCK位：解锁或锁住位，解锁后该位清零，写1可锁住。

STRT位：该位写1，进行一次擦除。

PER位：该位写1，进行页擦除

PG位：读写选择位，写数据时该位需要置1，读数据则该位为0.

3、状态寄存器FLASH_SR

第5位EOP位：操作结束标志

第4位WRPRTERR位：写保护错误

第3位：保留

第2位：PGERR：编程错误

第1位BSY位：当FLASH正在被操作时，该位置1，当操作完成或发生错误时，清零。

4、地址寄存器FLASH_AR

选择要操作的FLASH地址，当BSY位为1时，即FLASH正在被操作，则该寄存器不能进行操作。

三、FLASH读写操作流程/1、STM32复位后，FPEC模块是被保护的，不能去操作各个寄存器，因此需要先解锁，向模块中写入

特定的序列到FLASH_KEYR寄存器，才能打开FPEC模块。如图所示。