一、flash存储的区分
假设芯片的flash大小为1mb,
块区:16块 64kb为一块区
扇区:256个扇区 即4kb为一扇区
页:一个扇区有16页,即256byte为一页
2.依此类推,可知任意大小的flash存储的区域大小。(此为外部存储flash芯片的划分原则)。
对于mcu内部flash芯片的存储的划分,由其芯片说明手册中由介绍。一般也遵循上述原则。
3.关于存储区的分布以及计算。
注意事项
(1)flash在写入之前必须先擦除;
(2)擦除的最小单位是扇区,芯片的flash空间不一样,可能扇区的大小也不一样;
(3)对于频繁擦写的应用,需要考虑擦写均衡以提高flash的寿命;
擦(erase)
Flash 的编程原理都是只能将 1 写为 0,而不能将 0 写为 1。所以在 Flash 编程之前,必须将对应的Page擦除,而擦除的过程就是把所有位都写为 1 的过程。是寄存器控制的。都是0xFFFFFFFF才能被写入。
1.擦除的单位是page,一个page可能是256B也可能是512B。
2.擦除的地址需要提前进行页对齐。
写(write)
1.以word为写入单位
2.写前需要提前擦除。写入前,必 须是0xFFFFFFFF。
更新(update)
Update != Write
Write是目标区域是空白,然后写入数据;Update是在目标区域已经存在数据的情况下,把目标区域的数据给覆盖更新成新数据。