DDR3的一些知识点

1.列地址不会用到A10和A12，因为这2根地址线在发送读写命令时，表示的是AP和BC#功能。

2.pagesize实际上就是一行的容量。

3.ODT有Rtt_nom和Rtt_wr 这2种电阻。ODT是为了减小信号反射，改善信号完整性问题（SI）。

4.DLL是延时锁相回路，目的是用于同步颗粒的内、外部时钟，主要在读操作时起作用。

5.DDR3是8n预取，core阵列在存储数据的时候，可以理解为一次存一个burst的数据，即8x8=64bit，从阵列读出数据也是一次读出64bit，经过读写buffer后才按照8bit输出。

6.列地址的低3bit是不参与列地址译码的，这和8n预取有关，列地址的低3bit用来决定burst order。

7.TDQS功能只在x8颗粒中有，主要用于x8颗粒和x4颗粒混用的系统，TDQS的作用只是提供和DQS相同的端接电阻。

。。。。。。（大家有疑问的点，可以在留言区留言，欢迎讨论）