STM32接口FSMC与FMC控制 XXROM

FMC是STM32F429/439专有的，因为驱动SDRAM时需要定时刷新，而FSMC存在于F1和F4中我们常用的芯片中。
他们的全称为：
Flexible static memory controller (FSMC)柔性静态存储器控制器
Flexible memory controller (FMC)灵活的存储控制器

先以FMC具体介绍：
STM32的FMC电路简图主体框架

1.地址信号线以及地址信号线的A10有特殊用途(补充)、控制控制信号线 、DQM的输入输出数据信
2.命令解码器：将相应的控制线上的时序进行解析获得以下控制：
（1）空操作
（2）行有效
（3）读操作
（4）写操作
（5）预充电
（6）自动刷新或自我刷新
（7）加载模式
（8）突发终止
命令经过“命令器译码器”译码，并将控制参数保存到“模式寄存器中”，控制逻辑依此运行。SDRAM中含有“A”以及“BA”两类地址，“BA”类确定SDRAM中的内部储存阵列号(Bank)，而“A”类地址可以为行(Row)与列(Column)共用的地址总线

4.SDRAM的存储阵列：类似于我们的表格上的序列号，有纵轴和横轴当然还有Sheet表，发送纵轴横轴坐标就能找到确定位置的数据了，其中的表则被称为存储阵列(Bank)

地址是如何录入寻址的：通行时 当“RAS”线为低电平时，则“行地址选通器”被选中 ，表示行地址A【0:11】地址会被输入到“行地址译码器和锁存器”，同时地址线BA【0:1】地址Back也会被锁存，选中要操作的Back号；接着“CAS”线为低电平时，则“列地址选通器”被选中，表示列地址A【0:11】地址会被输入到“列地址译码器和锁存器”。

5.数据的输入输出缓存器

二、SDRAM的命令
控制SDRAM需要用到一系列的命令，各种信号线状态组合产生不同的控制命令
SDRAM的数据通过DQ信号线输出，在与SDRAM进行数据通讯时，16位的数据是同步传输的，但实际应用中我们可能会以8位、16位的宽度存取数据，也就是说16位的数据线并不是所有时候都同时使用的，而且在传输低宽度数据的时候，我们不希望其它数据线表示的数据被录入，这时使用DQM信号线作为掩码信号，控制要读取哪个字节

1、命令禁止
只要CS引脚为高电平，即表示“命令禁止”(COMMAND INHBIT)，它用于禁止SDRAM执行新的命令，但它不能停止当前正在执行的命令。
2、空操作
“空操作”(NO OPERATION)，“命令禁止”的反操作，用于选中SDRAM，以便接下来发送命令。
3、行有效
在储存器寻址的时候，需要先访问阵列号(Bank)和行地址，使它处于激活状态。该操作通过"行有效"，发送行有效命令时，RAS线为低电平，同时通过BA线以及A线发送Bank地址和行地址。
4、列读写
“读命令”和“写命令”的时序很相似，通过共用的地址线A发送列地址，同时使用ＷＥ引脚表示读／写方向，ＷＥ为低电平时表示写，高电平时表示读。数据读写时，使用ＤＱＭ线表示有效的ＤＱ数据线

5、预充电
SDRAM的寻址具有独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一个Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效的行关闭，重新发送行/列地址Bank 关闭当前工作行，准备打开新行的操作就是预充电。 （重新打开一个Bank时要进行全局的预充电）

配合使用A10线控制，若A10为高电平时，所有Bank都预充电；A10为低电平时，使用BA线选择要预充电的Bank。

6、刷新
SDRAM要不断进行刷新，才能保证那些久久没被访问的存储单元数据正确

7、加载模式寄存器
有12位对应地址A0~A12 6组寄存器分别为突发长度、突发模式、列地址选通延迟、SDRAM的工作模式、突发特性

1、Burst Length：突发长度，突发是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式
2、BT：设置突发模式，突发模式分为顺序与间隔两种。顺序操作按地址的顺序连续执行，间隔为操作地址是跳跃性
3、CASLatency：列地址选通延迟，在发出读命令（命令同时包含列地址）后，需要等待几个时钟周期数据线ＤＱ才会输出有效数据，这之间的时钟周期就是指ＣＬ，ＣＬ一般可以设置为２或３个时钟周期
４、OP Mode ：SDRAM工作模式：正常模式、测试模式
5、WB ：用于配置写操作的突发特性可选择使用BL设置的突发长度或非突发模式

引脚说明（连接到SDRAM）：

FMC_SDCKE线和FMC_SDNE都各有2条，FMC_SDCKE用于控制SDRAM的时钟使能，FMC_SDNE用于控制SDRAM芯片的片选使能。它们用于控制STM32使用不同的存储区域驱动SDRAM，使用编号为0的信号线组会使用STM32的存储器区域1，使用编号为1的信号线组会使用存储器区域2。使用不同存储区域时，STM32访问SDRAM的地址不一样。

图上有两处 SDRAM Bank 对应有两组数据引脚，其地址对应也不一样
Bank1地址：0x6000 0000 ~ 0x6FFF FFFF 其中有4x64MB的数据里面 ，那么是怎样划分地址的呢？
答：单个64MB的地址计算为：将64化成Bit单位就行了 64x1024x1024 = 67108864 再转化成十六进制为 0x4000000。可知0x6400 0000为一个节点。

寄存器：
1、FMC_SDCR控制寄存器可配置SDCLK的同步时钟频率、突发读使能、写保护、CAS延迟、行列地址位数以及数据总线宽度等。
2、FMC_SDTR时序寄存器用于配置SDRAM访问时的各种时间延迟，如TRP行预充电延迟、TMRD加载模式寄存器激活延迟等。
3、FMC_SDCMR命令模式寄存器用于存储要发送到SDRAM模式寄存器的配置，以及要向SDRAM芯片发送的命令。
4、FMC_SDRTR用于配置SDRAM的自动刷新周期。
控制SDRAM的FMC_SDCR1/FMC_SDCR2控制寄存器、FMC_SDTR1/FMC_SDTR2时序寄存器各有2个，分别对应于SDRAM存储区域1和存储区域2的配置。

FMC的地址映射：
在程序中如何访问SDRAM储存器中的数据呢？ 答：当启用FMC初始化完成，其存储单元地址会映射到STM32内部寻址空间；在程序中，定义一个指向这些地址的指针，然后就可以通过指针直接修改该存储单元的内容。

SDRAM的初始化流程
存储矩阵进行预充电—>刷新—>设置模式寄存器
详细操作：
1.给SDRAM上电，并提供稳定的时钟，至少100us；
2.发送“空操作”(NOP)命令；
3.发送“预充电”(PRECHARGE)命令，控制所有Bank进行预充电；
4.发送至少2个“自动刷新”(AUTO REFRESH)命令；
5.发送“加载模式寄存器”(LOAD MODE REGISTER)命令，配置SDRAM的工作参数；
6.初始化流程完毕，可以开始读写数据；

SDRAM的读写流程
1.发送“行有效”(ACTIVE)命令，发送命令的同时包含行地址和Bank地址，然后等待tRCD时间，tRCD表示行有效命令与读/写命令之间的延迟；
2.发送“读/写”(READ/WRITE)命令，在发送命令的同时发送列地址，完成寻址的地址输入。对于读命令，根据模式寄存器的CL定义，延迟CL个时钟周期后，SDRAM的数据线DQ才输出有效数据，而写命令是没有CL延迟的，主机在发送写命令的同时就可以把要写入的数据用DQ输入到SDRAM中，这是读命令与写命令的时序最主要的区别。图中的读/写命令都通过地址线A10控制自动预充电，而SDRAM接收到带预充电要求的读/写命令后，并不会立即预充电，而是等待tWR时间才开始，tWR表示写命令与预充电之间的延迟；
3.执行“预充电”(auto precharge)命令后，需要等待tRP时间，tRP表示预充电与其它命令之间的延迟；
4.图中的标号处的tRAS，表示自刷新周期，即在前一个“行有效”与 “预充电”命令之间的时间；
5.发送第二次“行有效”(ACTIVE)命令准备读写下一个数据，在图中的标号处的tRC，表示两个行有效命令或两个刷新命令之间的延迟。

FMC结构体
• 时序结构体：FMC_SDRAMTimingInitTypeDef
• 初始化结构体：FMC_SDRAMInitTypeDef
• 命令结构体：FMC_SDRAMCommandTypeDef

• FMC_LoadToActiveDelay
本成员设置TMRD延迟(Load Mode Register to Active)，即发送加载模式寄存器命令后要等待的时间，过了这段时间才可以发送行有效或刷新命令。

• FMC_ExitSelfRefreshDelay
本成员设置退出TXSR延迟(Exit Self-refresh delay)，即退出自我刷新命令后要等待的时间，过了这段时间才可以发送行有效命令。

• FMC_SelfRefreshTime
本成员设置自我刷新时间TRAS，即发送行有效命令后要等待的时间，过了这段时间才执行预充电命令。

• FMC_RowCycleDelay
本成员设置TRC延迟(Row cycle delay)，即两个行有效命令之间的延迟，以及两个相邻刷新命令之间的延迟。

• FMC_WriteRecoveryTime
本成员设置TWR延迟(Recovery delay)，即写命令和预充电命令之间的延迟，等待这段时间后才开始执行预充电命令。

• FMC_RCDDelay
本成员设置TRCD延迟(Row to column delay)，即行有效命令到列读写命令之间的延迟。

• FMC_Bank
本成员用于选择FMC映射的SDRAM存储区域，可选择存储区域1或2 (FMC_Bank1/2_SDRAM)。

• FMC_ColumnBitsNumber
本成员用于设置要控制的SDRAM的列地址宽度，可选择8-11位(FMC_ColumnBits_Number_8/9/10/11b)。

• FMC_RowBitsNumber
本成员用于设置要控制的SDRAM的行地址宽度，可选择设置成11-13位(FMC_RowBits_Number_11/12/13b)。

• FMC_SDMemoryDataWidth
本成员用于设置要控制的SDRAM的数据宽度，可选择设置成8、16或32位(FMC_SDMemory_Width_8/16/32b)。

• FMC_InternalBankNumber
本成员用于设置要控制的SDRAM的内部Bank数目，可选择设置成2或4个Bank数目(FMC_InternalBank_Number_2/4)，请注意区分这个结构体成员与FMC_Bank的区别。

• FMC_CASLatency
本成员用于设置CASLatency即CL的时钟数目，可选择设置为1、2或3个时钟周期(FMC_CAS_Latency_1/2/3)。

• FMC_WriteProtection
本成员用于设置是否使能写保护模式，如果使能了写保护则不能向SDRAM写入数据，正常使用都是禁止写保护的。

• FMC_SDClockPeriod
本成员用于设置FMC与外部SDRAM通讯时的同步时钟参数，可以设置成STM32的HCLK时钟频率的1/2、1/3或禁止输出时钟(FMC_SDClock_Period_2/3或FMC_SDClock_Disable)。

• FMC_ReadBurst
本成员用于设置是否使能突发读取模式，禁止时等效于BL=1，使能时BL的值等于模式寄存器中的配置。

• FMC_ReadPipeDelay
本成员用于配置在CASLatency个时钟周期后，再等待多少个HCLK时钟周期才进行数据采样，在确保正确的前提下，这个值设置为越短越好，可选择设置的参数值为0、 1或2个HCLK时钟周期(FMC_ReadPipe_Delay_0/1/2)。

FMC初始化结构体，除最后一个成员是前面的时序结构体配置外，其它结构体成员的配置都对应到FMC_SDCR中的寄存器位。

配置完SDRAM初始化结构体后，调用FMC_SDRAMInit函数把这些配置写入到FMC的SDRAM控制寄存器及时序寄存器，实现FMC的初始化。

• FMC_AutoRefreshNumber

• FMC_CommandTarget
本成员用于选择要控制的FMC存储区域，可选择存储区域1或2(FMC_Command_Target_bank1/2)。
•
FMC_AutoRefreshNumber
有时需要连续发送多个 “自动刷新”(Auto Refresh)命令时，配置本成员即可控制它发送多少次，可输入参数值为1-16，若发送的是其它命令，本参数值无效。如FMC_CommandMode成员被配置为宏FMC_Command_Mode_AutoRefresh，而FMC_AutoRefreshNumber被设置为
2时，FMC就会控制发送2次自动刷新命令。

• FMC_ModeRegisterDefinition
当向SDRAM发送加载模式寄存器命令时，这个结构体成员的值将通过地址线发送到SDRAM的模式寄存器中，这个成员值长度为13位，各个位一一对应SDRAM的模式寄存器。

时钟配置FMC时钟配置成了90Mhz，相应的计算出：
SDCLK时钟频率为 F= 90MHz，一个时钟周期 T =1/F =1/90M = 1.111×10^8 s = 11 ns

M后面是6个0
1秒=1000000000 纳秒(ns)
在手册中找到对应的数据信息进而填补上

  FMC_SDRAMTimingInitStruct.FMC_ExitSelfRefreshDelay = 7; //txsr
  FMC_SDRAMTimingInitStruct.FMC_LoadToActiveDelay = 2;  //tmrd
  FMC_SDRAMTimingInitStruct.FMC_RCDDelay = 2;//trcd
  FMC_SDRAMTimingInitStruct.FMC_RowCycleDelay = 6; //trc
  FMC_SDRAMTimingInitStruct.FMC_RPDelay = 2; //trpd
  FMC_SDRAMTimingInitStruct.FMC_SelfRefreshTime = 4; //tras
  FMC_SDRAMTimingInitStruct.FMC_WriteRecoveryTime = 2 ;//twr

PLC6045BL研发过程中所遇到的问题：

1.对于FSMC扩展外部存储器件时，在所有引脚包括FSMC的内部配置初始化成功，按复位键时，FSMC相关引脚在示波器会有一串的抖动数据出现 。为在写入其地址时不会产生让其卡死在其阶段中。

以标准库的说明进行初始化：
（1）使用以下函数启用FSMC和相关GPIO的时钟：
(++) RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3Periph_FSMC, ENABLE);
(++) RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_GPIOx, ENABLE);
（2） FSMC 引脚配置
使用以下函数将所涉及的fsmc引脚连接到GPIO_AF_FSMC
GPIO_PinAFConfig(GPIOx, GPIO_PinSourcex, GPIO_AF_FSMC);
通过调用函数，在交替功能模式下配置这些fsmc引脚
GPIO_Init();
（3） 声明FSMC_PCCARD结构体
FSMC_PCCARDInitTypeDef FSMC_PCCARDInitStructure;
并用结构构件的允许值填充FSMC_PCCARDInitStructure变量
（4）通过调用函数初始化PCCARD控制器
FSMC_PCCARDInit(&FSMC_PCCARDInitStructure);
（5）然后启用PCCARD Bank
FSMC_PCCARDCmd(ENABLE);
（6）在这个阶段，您可以从 写 /入 连接到PCCARD Bank的存储器。

如果但是目是进行取地址往里面写入数据会死机。这样也是FSMC初始化不成功的特性。

FSMC初始化成功的话，不会让其卡死在其阶段中。但是目是进行取地址往里面写入数据会死机。这样也是FSMC初始化不成功的特性。
当FSMC配置成功的话，按复位键时会有一串的抖动数据出现
发现一个新问题：开启PC卡模式地址为0x90000000时会死机，而0x60000000数据引脚能正常发送而且运行正常，在H库中，其定义是在0x9000000中能正常使用的。

发现一个新问题：开启PC卡模式地址为0x90000000时会死机，而0x60000000数据引脚能正常发送而且运行正常，在H库中，其定义是在0x9000000中能正常使用的？？？

重新试用PCCard模式的原装程序启用还是处于死机状态无法正常使用，难道正的使用STM32F429作为代替品吗？ 可以考虑替换的问题，还是简单点吧 用标准库来进行其操作，简单点先，预留测试点。

通过购买PLC6045的程序，本套使用另开一个专题讲解使用时注意到的问题进行解决