烧CPU的bug

问题描述：

基于IMVP8协议，平台VR方案选择Renesas的ISL控制器，搭配NXP的driver-mos，上电直接烧CPU。

分析过程：

1， 经过量测，上电时CPU的VCORE电压能够冲到5V以上。基本上断定是PWM的默认状态导致DR-MOS的上电初始的误导通。
2，VR controller用的是renesas的ISL95855C，3+2+1 VR with extended ICCMAX register range supporting IMVP8 CFL/CNL CPUs。ISL95855C的PWM Tri-state Voltage是2.5V；

Tri-state是发生过流或者相位电流不均衡时，控制器采取的保护措施，将PWM pin置于tri-state状态。此时电压值是2.5V。

搭配VR控制器的Mosfet使用的是Onsemi的NCP302045。
NCP302045 PWM INPUT的electrical characteristics：

Mid-state voltage是1.4v-2.1v

问题根因：

很显然，上电初始，控制器的tri-state使得dr-mos的pwm输入处于input high的状态。导致dr mos导通。

解决办法：

通过在PWM输入端对地下拉5.7kohm电阻，可以降低Tri-state电压值为1.6v，低于导通的阈值。上电就不会导致VCORE电压的过冲。