一、三极管和MOS管驱动电路的正确用法
1 三极管和MOS管的基本特性
三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种，符号如下：
MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS），符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS管）：
2 三极管和MOS管的正确应用
（1）NPN型三极管
适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND；
优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的低电平。
（2）PNP型三极管
适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压（此处为VCC）0.7V，即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。基极用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC；
优点是：①使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止；②系统刚上电时，基极是确定的高电平。
所以，如上所述：
对NPN三极管来说，最优的设计是，负载R12接在集电极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R12接在射极和GND之间。
对PNP三极管来说，最优的设计是，负载R14接在集电极和GND之间。不够周到的设计是，负载R14接在发射极和VCC之间。这样，就可以避免负载的变化被耦合到控制端。从电流的方向可以明显看出。
（3）PMOS
适合源极接VCC漏极接负载到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压（此处为VCC）超过Vth（即Vgs超过-Vth），PMOS即可开始导通。栅极用低电平驱动PMOS导通（高电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，PMOS能够更快更可靠地截止。
（4）NMOS
适合源极接GND漏极接负载到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压（此处为GND）超过Vth（即Vgs超过Vth），NMOS即可开始导通。栅极用高电平驱动NMOS导通（低电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使栅极控制电平由高变低时，栅极能够更快被拉低，NMOS能够更快更可靠地截止。
所以，如上所述：
对PMOS来说，最优的设计是，负载R16接在漏极和GND之间。不够周到的设计是，负载R16接在源极和VCC之间。
对NMOS来说，最优的设计是，负载R18接在漏极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R18接在源极和GND之间。
3 设计原则
为避免负载的变化被耦合到控制端（基极Ib或栅极Vgs）的精密逻辑器件（如MCU）中，负载应接在集电极或漏极。
二、正确使用三极管和MOS管
三极管与MOS管
三极管是电流控制器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种，符号如下图。
MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS），符号如下，此处只讨论常用的增强型MOS管。
三极管与MOS管的正确应用
NPN型三极管
适合发射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND。
优点是：
- 使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止
- 系统刚上电时，基极是确定的低电平
如下，左图所示。
PNP型三极管
适合发射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压（此处为VCC）0.7V，即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。基极用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC。
优点是：
- 使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止
- 系统刚上电时，基极是确定的高电平
如下，右图所示。
所以，如上所述：
对NPN三极管来说，最优的设计是，负载R12接在集电极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R12接在射极和GND之间。
对PNP三极管来说，最优的设计是，负载R14接在集电极和GND之间。不够周到的设计是，负载R14接在发射极和VCC之间。这样，就可以避免负载的变化被耦合到控制端。从电流的方向可以明显看出。
PMOS
适合源极接VCC漏极接负载到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压（此处为VCC）超过Vth（即Vgs超过-Vth），PMOS即可开始导通。栅极用低电平驱动PMOS导通（高电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC，使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，PMOS能够更快更可靠地截止。
NMOS
适合源极接GND漏极接负载到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压（此处为GND）超过Vth（即Vgs超过Vth），NMOS即可开始导通。栅极用高电平驱动NMOS导通（低电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到GND，使栅极控制电平由高变低时，栅极能够更快被拉低，NMOS能够更快更可靠地截止。
所以，如上所述：
对PMOS来说，最优的设计是，负载R16接在漏极和GND之间。不够周到的设计是，负载R16接在源极和VCC之间。
对NMOS来说，最优的设计是，负载R18接在漏极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R18接在源极和GND之间。
总结
为避免负载的变化被耦合到控制端（基极Ib或栅极Vgs）的精密逻辑器件（如MCU）中，负载应接在集电极或漏极。
三、三极管的应用电路
三极管有三个工作状态：截止、放大、饱和，放大状态很有学问也很复杂，多用于集成芯片，比如运放，现在不讨论。
其实，对信号的放大我们通常用运放处理，三极管更多的是当做一个开关管来使用，且只有截止、饱和两个状态。
截止状态看作是关，饱和状态看作是开。
Ib≥1mA时，完全可以保证三极管工作在饱和状态，对于小功率的三极管此时Ic为几十到几百mA，驱动继电器、蜂鸣器等功率器件绰绰有余。
三极管电路举例
把三极管箭头理解成一个开关，如下图为NPN型三极管，按下开关S1，约1mA的Ib流过箭头，三极管工作在饱和状态，c极到e极完全导通，c极电平接近0V(GND)，负载RL两端压降接近5V。
Ib与Ic电流都流入e极，根据电流方向，e极为低电平，应接地，c极接负载和电源。
如下图为PNP型三极管，按下开关S2，约1mA的Ib流过箭头，三极管工作在饱和状态，e极到c极完全导通，c极电平接近5V，负载RL两端压降接近5V。
Ib与Ic电流都流出e极，根据电流方向，e极为高电平，应接电源，c极接负载和地。
如下图NPN三极管，对于NPN三极管更应该在b极加一个下拉电阻，一是为了保证b、e极间电容加速放电，加快三极管截止；二是为了保证给三极管b极一个已知逻辑状态，防止控制输入端悬空或高阻态时对三极管工作状态的不确定。
如下图是PNP三极端，对于PNP三极管，更应该在b极加一个上拉电阻，原理同上。
下图NPN三极管，对于感性负载，必须在负载两端并联一个反向续流二极管，因为三极管在关断时，线圈会自感产生很高的反向电动势，而续流二极管提供的续流通路，同时钳位反向电动势，防止击穿三极管。
续流二极管的选型必须是快恢复二极管或肖特基二极管，两者响应速度快。
如下图的NPN三极管，对于某些控制信号为低电平时，可能并不是真正的0V，一般在1V以内，为保证三极管完全截止，不得不在三极管b极加一个反向稳压管或正向二极管，以提高三极管导通的阈值电压。
根据个人经验，推挽输出的数字信号不用加，OC输出、二极管输出以及延时控制有必要加，通常稳压管正常的工作电流≥1mA。
下图是用三极管实现继电器的延时控制的例子。
为三极管延时导通，快速关断的一个仿真电路，D1、R2、C1、D2构成延时导通Q2的回路，C1的电压为12V的时候Q2导通，R3、Q1、R4、R1构成快速关断Q2的回路，C1通过R3和Q1快速放电。
要点
- 对于NPN三极管，在不考虑三极管的情况下，b极电阻与下拉电阻的分压必须大于0.7V，PNP同理。
- b极电流必须≥1mA可保证三极管处于饱和状态，此时Ic满足三极管最大的驱动能力。
- 另外，对于三极管的放大倍数β，指的是输出电流的驱动能力放大了β，比如100倍，并不是把输出电流真正的放大了100倍。
四、EMC防护中的滤波电容
为什么总是在电路里摆两个0.1uF和0.01uF的电容？
旁路和去耦
旁路电容（Bypass Capacitor）和去耦电容（Decoupling Capacitor）这两个概念在电路中是常见的，但是真正理解起来并不容易。
要理解这两个词汇，还得回到英文语境中去。
Bypass在英语中有抄小路的意思，在电路中也是这个意思，如下图所示。
couple在英语中是一对的意思，引申为配对、耦合的意思。如果系统A中的信号引起了系统B中的信号，那么就说A与B系统出现了耦合现象（Coupling），如下图所示。而Decoupling就是减弱这种耦合的意思。
电路中的旁路和去耦
如下图中，直流电源Power给芯片IC供电，在电路中并入了两个电容。
旁路
如果Power受到了干扰，一般是频率比较高的干扰信号，可能使IC不能正常工作。在靠近Power处并联一个电容C1，因为电容对直流开路，对交流呈低阻态。频率较高的干扰信号通过C1回流到地，本来会经过IC的干扰信号通过电容抄近路流到了GND。这里的C1就是旁路电容的作用。
去耦
由于集成电路的工作频率一般比较高，IC启动瞬间或者切换工作频率时，会在供电导线上产生较大的电流波动，这种干扰信号直接反馈到Power会使其产生波动。在靠近IC的VCC供电端口并联一个电容C2，因为电容有储能作用，可以给IC提供瞬时电流，减弱IC电流波动干扰对Power的影响。这里的C2起到了去耦电容的作用。
为什么要用两个电容
回到本文最开始提到的问题，为什么要用0.1uF和0.01uF的两个电容？
电容阻抗和容抗计算公式分别如下：
容抗与频率和电容值成反比，电容越大、频率越高则容抗越小。可以简单理解为电容越大，滤波效果越好。那么有了0.1uF的电容旁路，再加一个0.01uF的电容不是浪费吗？
实际上，对一个特定电容，当信号频率低于其自谐振频率时呈容性，当信号频率高于其自谐振频率时呈感性。当用0.1uF和0.01uF的两个电容并联时，相当于拓宽了滤波频率范围。
五、提高硬件设计能力的学习路线
“为什么他改几个电阻、电容就调出来，我弄个半天没搞定？”
说靠的是经验，但经验是怎么来的？好像很厉害的样子。
硬件设计，可以说是包罗万象，它涉及到非常庞大的知识量，今天我们来介绍一下硬件设计的学习路线。
初级理论篇
高等数学和线性代数
这里重点掌握微积分和矩阵，因为在后面的课程里面将会大量用到这两个东西，是基础中的基础。
大学物理
这里很多东西其实在高中有学到，重点掌握电阻、电容、电感的特性和电生磁、磁生电的原理，其中麦克斯韦方程组将会在射频、微波中有用到。
电路分析基础
其实电路基础的理论并不难，但是有些抽象的东西，是暂时不能很好地理解，比如说受控源（其实就是三极管），所以学完模电还要再回过头来再看一遍。这里重点掌握戴维南定理，不然后面没法学。
模拟电子技术
这是电子专业的核心基础课，至少学三遍，此外，学啃书是不行的，还得配合Multisim仿真软件才能学好（实践部分后面再介绍）。如果说电路基础、高数当中的答案都是明确、唯一的，那么模电的答案将是不明确、多样化的，需要在实践中权衡取舍，一定要把以前的思维转变过来，不然后面没法学。这门课全部都是重点，但是学完它，除了抄书上的电路，你仍然什么都做不了，因为还需要其它方面的知识一起用才可以。这里不得不提一下器件特性这个概念，没有它将不能打开电路设计的大门，但是由于篇幅有限
数字电子技术
这门课相对于模电来说，要简单很多很多。它把三级管搭成各种门电路、触发器，以便于直接把数学知识运用起来，同时它也是FPGA的先修课，是硬件工程师向算法工程师（跟计算机的算法有很大区别）转变的基础。这门课全部都是重点，但是要真正掌握它，还是得学FPGA才可以。
电力电子技术
这里讲到晶闸管、IGBT和电力MOS管，都是用在强电领域的器件，是开关电源的先修课。可以说电源是硬件设计当中最关键的部分，一个电源设计得好不好，直接影响整个系统能否正常工作。其中整流、逆变、升压、降压电路，都是要重点掌握的。
中级理论篇
复变函数
这门课跟高数的微积分一样，是一种数学工具。复数信号是物理不可实现的，但是为什么需要复数？诚然，正弦波（包括余弦，下同）有振幅、频率和相位三要素，如何在一个图上面表示振幅与频率的关系或者相位与频率的关系（方便观察分析才需要这样弄）？这就需要用到复数了，其中i或者j（因为电流的符号是i，所以才换成j，以防混淆）表示的就是方向，对应着极坐标的向量。我们可以把复数转成模和辐角的形式，想象一下，模就是时钟的秒针，而辐角就是秒针转动的角度，秒针转一圈就是个圆，而把这个圆的各点按照出现的时间先后，重新描绘在直角坐标系中，就是一个正弦波。这就意味着，用复数可以表示一个正弦波的三要素，振幅就是模（秒针的长短），相位就是秒针转动的角度，频率就是秒针转动的快慢。想一下，如果用实数来表示正弦波的三要素，是不是很麻烦？这里重点掌握留数、保形映射。
信号与系统
介绍如何利用数学建模去描述电路，就是这门课要研究的内容。什么是信号？LED灯的亮灭、喇叭发出的声音、天线感应的电磁波等，有实际用途的信息载体（包括声、光、电、热等）都是信号。什么是系统？就是处理信息载体的东西（包括放大器、传动装置等）。系统是一种更为抽象的概念，可大可小，小到一个三极管，大到一个无线收发装置，这些都要根据实际需求来确定，不能一概而论。这门课都是重点。
自控原理是信号与系统的姐妹学科。介绍如何用数学建模的方法去分析电路，主要分析电路的稳定性。其中，波特图、PID都是要重点掌握的。学懂这门课就可以用里面的知识去分析一些较为复杂的带运放的电路，这种电路用KCL和KVL是仍然很难解决。
高频电子线路
高频是模电的非线性部分。你会发现高频里面很多内容跟模电都差不多，也有放大器、振荡器、功放，但是这些电路用在更高的频段，所以分析方法有所不同。模电的功底较为扎实的情况下，再学这门课，就不觉得难，因为它本身就是模电的扩展，而不是全新的领域。这门课都是重点，至少学三遍。
单片机
现在已经很少不用CPU的硬件电路了，而单片机正是最简单的CPU，所以掌握单片机也是很有必要的。其中单片机的接口电路也是相当考验你的硬件功底的。
电子测量技术
做硬件的经常要跟仪器打交道，学习测量技术，一方面让你更能熟练地使用仪器，另一方面还能让你做一些测量电路（配合单片机就可以运用在物联网领域）。这里会接触很多新器件，大多都是传感器，当然重点研究的还是电气特性。这门课并不难，关键要多做实验。
高级理论篇
信号完整性分析
可以说硬件工程师最大的敌人就是干扰，要解决这些干扰就得做好电磁兼容性设计，学好这门课，才可以画出性能更优的PCB。
开关电源
学会设计电源电路，给自己的电路系统配上合适的电源，以及解决电源完整性问题，也是相当考验硬件工程师的模电功底。
射频电路设计
随着科技的发展，电路的工作频率将会越来越高，频率升高会带来各种各样的难题，所以学会设计射频电路也是很有必要的。
通信原理
掌握现代的通信技术，其中包括信息论基础和各种调制方式都会在各种通信电路当中有用到。
集成电路原理与应用
可以说几乎每块电路板都会用到芯片，所以学习一下芯片的制造技术，将会让你的硬件水平大大提高。
举个简单的案例，数字电位器里面的电阻就是用MOS管构成的有源电阻，一定要上电，它才体现出电阻的特性，如果只使用模电的知识将无法理解这一现象。
总结
如果你认为这么多书，怎么看都看不完。那是以一种静止、偏面的观点来分析问题了。其实上介绍那么多课，很多内容都是相通的。比如，数电里面的移位寄存器，就是单片机里面的串口收发器。模电里面的放大器、振荡器，到了高频、射频，照样讲到，只是分析方法有点不同而已。
高频里面的AM、FM、PM，到了通信原理，照样讲到，此外，还提出了ASK、FSK、PSK这几种雷同而且更为简单的调制方式。电力电子技术里面的直流斩波电路，就是开关电源的内容，只是扩展了一些内容而已。
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