DDR，LPDDR，EMMC，EMCP比较

DDR(Double Data Rate双倍速率)

DDR SDRAM Standard	Bus clock (MHz)	Internal rate (MHz)	Prefetch (min burst)	Voltage	DIMM pins	SO-DIMMpins	MicroDIMM pins
DDR	100–200	100–200 2n	200–400	2.5/2.6	184	200	172
DDR2	200–533	100–266 4n	400–1066	1.8	240	200	214
DDR3	400–1066	100–266 8n	800–2400	1.5	240	204	214
DDR4	800–1200	200–300	16n	1600–5067	1.2	288	260

LPDDR(Low Power Double Data Rate)

LP-DDR	1	1E	2	2E	3	3E	4	4X	5
Memory array Clock(Mhz)	200	266.7	200	266.7	200	266.7	200	266.7	?
Prefetch size	2n	2n	4n	4n	8n	8n	16n	16n	16n
I/O bus clock frequency(Mhz)	200	266.7	400	533.3	800	1067	1600	2133	3200
Data transfer rate(DDR)(MT/s)	400	533.3	800	1067	1600	2133	3200	4267	6400
Supply voltage(s)	1.8V	1.8V	1.2V 1.8V	1.2V 1.8V	1.2V 1.8V	1.2V 1.8V	1.1V 1.8V	0.6V 1.1V 1.8V	0.5V 1.05V 1.8V
Command/Address bus	19bit,SDR	10bit DDR	10bit DDR	10bit DDR	10bit DDR	6bit SDR	6bit SDR	6bit SDR	?

由于输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，是通常使用的DDR3 DRAM的两倍，新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。
与LPDDR3内存芯片相比，LPDDR4的运行电压降为1.1伏，堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的最低功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例，比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和处理速度的提升，最大可节省40%的耗电量。同时，新产品的输入/输出信号传输采用三星独有的低电压摆幅终端逻辑(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic)，不仅进一步降低了LPDDR4芯片的耗电量，并使芯片能在低电压下进行高频率运转，实现了电源使用效率的最优化。
由上表格可以看到 LPDDR 相比 DDR 速度更快 功耗更低 但是缺点是 由于电压低没法离cpu太远 走线上比较要求。

EMMC

由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC（多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器。所有都在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒400MBytes，eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8V或者是3.3V。

	Write(MB/s)	Read(MB/s)
USF	150	350
eMMC5.1	125	250
eMMC5.0	90	250
eMMC4.5	50	140

EMCP

RK3399_FIREFLY

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参考Google and 百度