为什么LPDDR不能完全代替DDR?

LPDDR作为low power版本的DDR,在标准中定义的带宽甚至比同代的DDR更高,似乎相比DDR,LPDDR只有优点而没有缺点,那么为什么LPDDR不能完全代替DDR?今天思考得到了两个可能的原因,仅作抛砖引玉之用,如果看到的大佬有更好的想法或者想对我的看法进行纠正,欢迎讨论。

在介绍具体原因前,先看一下LPDDR相比DDR的最主要区别:电压低(也是实现低功耗的最主要手段)。由于相同制造工艺下,芯片的供电电压越低,芯片能达到的工作频率就越低,为了保证工作速率,LPDDR作了权衡,也就对应了它不能被DDR替代的几个可能原因:

1.最重要的,标准中的带宽是单个DQ pin的带宽,但LPDDR通常比DDR的数据位宽小,所以实际的数据吞吐率并没有更高。而如果LPDDR和DDR采用了相同的数据位宽,其低功耗的优势可能也就没那么明显了。

2.为了减少负载电路以保证时钟频率,LPDDR单个channel的DQ数据位宽仅有16bit,为了实现相同的数据位宽,LPDDR就只能将多个channel拼在一起(例如为了实现32bit的数据位宽,就需要两个channel合拼),但这就导致单个package中能提供的bank数量较少,从而降低了并发性。但是,由于每个channel的颗粒较少,且互联线长度较短,LPDDR相比DDR有更高的标称速度,例如:LPDDR4最高速率(单个pin)为4266MT/s,而DDR4的最高速率为3200MT/s。
下图是两个die合拼成一个更宽的LPDDR device的例子。
在这里插入图片描述

3.由于工作电压低,LPDDR的内部工作频率也较低。为了保证带宽,就只能提高预取(prefetch)的位数,DDR4的预取为8bit,而LPDDR4的预取为16bit,LPDDR5的预取为16bit或32bit。但LPDDR预取位数的提高也会导致在数据位宽相同且SOC的访问不够连续时,同一个read/write burst中可能有更多的数据被浪费掉,导致带宽利用率的降低。

4.DDR的数据位宽可以灵活配置,在需要ECC的场景可以使用side-band ECC,例如72bit位宽(其中64bit为数据,8bit为ECC),而LPDDR位宽固定,为了在不浪费数据位宽的情况下加入ECC实现对DRAM中数据的保护,只能使用in-line ECC,对性能会造成明显的负面影响。

5.DDR基于DIMM,具有更好的扩展性,且便于更换,而LPDDR是直接封装在PCB上,扩展性较差

6.LPDDR通过降低电压的方式来节省功耗,但读写访问的latency也明显更大,对特定访问的性能有负面影响

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