通过mtd读写flash_敏矽微电子Cortex-M0学习笔记11-FLASH存储器

学习笔记

1、FLASH存储器简介

ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash 技术，64K用户区间，支持 IAP/ISP Flash 擦写技术。MCU Flash 采用 32 位数据总线读写，充分利用 32 位 ARM CPU 性能优势，同时它的 512 字节小扇区结构，管理操作也更加灵活。Flash 存储器支持的操作如下:

读操作：

ARM CPU 可以通过读指令直接从嵌入式 Flash 读取数据，最高支持达 30MHz 的读取速度。当 CPU 时钟超过 Flash 的最大读取速度时，需要插入延迟时钟，延迟时钟由 RDCYC 寄存器控制。

FLASH 擦写操作：

Flash 擦写采用扇区擦除，字(WORD)写入模式，并通过一寄存器组实现。擦写地址必须是 32 位对齐。擦除扇区流程如下:

①、向地址寄存器写入要操作的FLASH地址。

②、发FLASH扇区擦除指令0x04。

③、判断FLASH是否处于忙状态，不处于忙状态则流程结束。

字(WORD)编程的流程如下：

①、向地址寄存器写入要操作的FLASH地址。

②、向数据寄存器写入要编程的数据。

③、发FLASH扇区擦除指令0x02。

④、判断FLASH是否处于忙状态