硬件电路
weixin_42124162
这个作者很懒,什么都没留下…
展开
-
BUCK型开关电源中的损耗与效率的计算
在BUCK型开关电源中,如果没有损耗,那效率就是100%,但这是不可能的,BUCK型开关电源中主要的损耗是导通损耗和交流开关损耗,导通损耗主要是指MOS管导通后的损耗和肖特基二极管导通的损耗(是指完全导通后的损耗,因为导通不是瞬间导通,有个从线性区到非线性区的过程),在MOS管导通时,由于存在导通电阻,那么流过电流就必然存在导通损耗,而肖特基导通损耗是指在MOS管关闭期间,由于电感的电流不能突变加...转载 2020-03-25 19:01:39 · 8829 阅读 · 0 评论 -
MOS管米勒平台说明
转载 2020-02-14 17:49:46 · 2529 阅读 · 0 评论 -
TL431电路介绍
一.TL431介绍TL431是一个有良好热稳定性能的三端可调精密电压基准集成芯片,具有体积小、价格低廉、性能优良等特点:它的输出电压用两个电阻就可以任意地设置到从参考电压(2.5V)到36V范围内的任何值,典型动态阻抗仅为0.2Ω,电压参考误差为±0.4%,负载电流能力从1.0mA到100mA,温度漂移低,输出噪声电压低等。基于以上特点,不仅可以用于恒流源电路、电压比较器电路、电压监视器电路、...原创 2020-01-09 09:14:29 · 6221 阅读 · 2 评论 -
LDO介绍
1.LDO的压差跟什么有关系?由上图可以知道LDO压差太大会导致在同样的输出电流情况下,芯片功率增加,如果功率超过芯片正常工作的功率,芯片就会损坏。...原创 2019-12-16 09:01:03 · 526 阅读 · 0 评论 -
三极管电路原理及选择
三极管基础介绍:当集电极(N)电压高于基级(P)电压时,基级和集电极构成的pn结是反向的,此时叫集电极反偏;当基级(P)电压高于发射极(N)电压时,基级和发射极构成的pn结是正向的,此时叫发射极正偏;当三极管的发射极正偏,集电极反偏时,三极管工作在放大状态;对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的P...转载 2019-12-16 08:54:11 · 1046 阅读 · 0 评论 -
二极管介绍及参数选择
二极管参数选择:(1)正向特性:当0<V<Vth时,正向电流为零,Vth称为死区电压或开启电压。当V>Vth时,开始出现正向电流,并按指数规律增长。 (2) 反向特性:当VBR<V<0时,反向电流很小,且基本不随反向电压的变化而变化,此时的反向电流也称反向饱和电流IS。 当V≥VBR时,反向电流急剧增加。VBR称为反向击穿电压。从击穿的机理上看,硅二极管若|VBR|≥7 V时,主要是雪...转载 2019-12-16 08:46:36 · 9211 阅读 · 0 评论 -
超前 、滞后、超前滞后介绍
作者:不足为外人道也链接:https://www.zhihu.com/question/38726841/answer/495410998来源:知乎著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权,非商业转载请注明出处。一、先以超前校正为例:1、目的要在改善动态性能的同时,保证静态性能基本不变2、手段根轨迹和波特图分别在时域和频域上包含了系统的全部结构信息,因此改善动态/...转载 2019-11-29 09:09:13 · 16773 阅读 · 0 评论 -
boost反馈支路反馈电容对电路的影响及传递函数
穿越频率、截止频率介绍:1.不带反馈电容传递函 2.带反馈电容的传递函数 3.带反馈电容和电阻 4.底部带有反馈电容传递函数 ...转载 2019-11-27 09:19:16 · 1767 阅读 · 1 评论 -
传递函数推导
这个传递函数怎么推导?推导过程如下:原创 2019-11-21 11:37:53 · 3272 阅读 · 0 评论 -
极点零点介绍
上图的传递函数错误。分析:零点会导致相位超前,而极点会导致相位滞后。原创 2019-11-13 13:04:08 · 1052 阅读 · 0 评论 -
多颗MOS管的并联应用研究
转载 2019-11-04 09:04:05 · 2700 阅读 · 0 评论 -
优秀文档合集
MOSFET的驱动技术详解https://wenku.baidu.com/view/a26d9b3528ea81c759f578cc.htmlMOS管关键词:炸管子,栅极驱动器,mos并联,大功率,驱动/泄流电阻,自举电路,电压隔离https://blog.csdn.net/Fei_Yang_YF/article/details/96765349...原创 2019-11-01 08:33:04 · 244 阅读 · 0 评论 -
功率MOSFET的栅极电荷特性
在功率MOSFET的数据表的开关特性中,列出了栅极电荷的参数,包括以下几个参数,如下图所示。Qg(10V):VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V)):VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd:栅极和漏极电荷Qgs:栅极和源极电荷栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中,栅极使用恒流源驱动,也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电,漏极电流I...转载 2019-10-29 09:22:29 · 8732 阅读 · 0 评论 -
转载-【详细实用】中文图解功率MOS管的每一个参数!
【详细实用】中文图解功率MOS管的每一个参数!2017-08-22 20:14第一部分 最大额定参数最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接,漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同,实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源...转载 2019-10-28 09:07:08 · 224 阅读 · 0 评论 -
功率MOS选择的四大要点分析
MOS选型第一步:选用N沟道还是P沟道低压侧开关选N-MOS,高压侧开关选P-MOS根据电路要求选择确定VDS,VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。第二步:确定额定电流额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。MOS管并不是理想的器件,因...转载 2019-10-24 09:09:32 · 643 阅读 · 0 评论 -
开关电源Buck电路CCM和DCM工作模式
Buck开关型调整器CCM和DCM定义 CCM (ContinuousConduction Mode),连续导通模式:在一个开关周期内,电感电流从不会到0。或者说电感从不“复位”,意味着在开关周期内电感磁通从不回到0,功率管闭合时,线圈中还有电流流过。 DCM,(Discontinuous Conduction Mode)非连续导通模式:在开关周期内,电感电流总会会到0,意...转载 2019-10-18 09:08:54 · 2936 阅读 · 0 评论 -
MOS开关常用电路
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。1、MOS管种类和结构MOSFET管是F...转载 2019-10-14 19:43:41 · 1365 阅读 · 0 评论 -
推挽电路和开集电路介绍
推挽输出(Push-Pull Output)推挽输出结构是由两个MOS或者三极管收到互补控制的信号控制,两个管子时钟一个在导通,一个在截止,如图1所示:图1 推挽输出结构推挽输出的最大特点是可以真正能真正的输出高电平和低电平,在两种电平下都具有驱动能力。补充说明:所谓的驱动能力,就是指输出电流的能力。对于驱动大负载(即负载内阻越小,负载越大)时,例如IO输出为5V,驱动的负载内...转载 2019-10-14 18:48:51 · 2409 阅读 · 0 评论 -
三极管形象经典的理解
以最常用的共发射极电路(如图)为例,当输出电压Vout=Vc时,三极管处于截止状态,当输出电压Vout=0.3~0.5V(硅管)时,三极管处于饱和状态,当输出电压Vout处于上述两种情况之间时,三极管处于放大状态。BJT的开关工作原理:形象记忆法 :对三极管放大作用的理解,切记一点:能量不会无缘无故的产生,所以,三极管一定不会产生能量。它只是把电源的...转载 2019-09-29 09:23:56 · 187 阅读 · 0 评论 -
自举电路如何把电压一步步顶上去?
自举电路如何把电压一步步顶上去的?+5V_ALWP电压通过D32的1脚对C710、C722、C715、C719开始充电,充电完毕后电路状态如上图显示(二极管压降忽略不计)。此时的+15V_ALWP,实际电压为5V1由于电容的两端电压不能突变,此时C715两端的电位为左边5V,右边10V(C715的电压依然是10V-5V=5V),然后电流经过D35的2引脚,对C719电...转载 2019-09-30 09:14:17 · 636 阅读 · 0 评论 -
AD采样前加不加电压跟随器?
原址1:http://bbs.csdn.net/topics/390284933R25的作用是消反射的,运放的5、6角理论上是电压相同的,且输入阻抗是无穷大!那么输入信号的电流主要是通过R28流入地,也就是输入点的电压在WK-in点形成,理论上不会有电流流入R25,如果没有R25那么信号就会100%反射到WK-in上,如果信号源的内阻非常的大,也就是带载的能力很差,反射的信号就会在R28的...转载 2019-09-30 13:47:50 · 7644 阅读 · 0 评论 -
光耦电路
光电耦合器(opticalcoupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光耦合器,简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光二极管发出光线,光敏三极管接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器,由于它具有体积小、寿命长、...转载 2019-09-30 16:28:40 · 10971 阅读 · 1 评论 -
磁珠的作用与介绍
从图上可以看出,VDD是有VDDIN而来的,VDDIN是主板给过来的电源,在VDD与VDDIN之间有个磁珠,这个磁珠用来过滤掉高频纹波电压。以下是网上给出对磁珠的解释:磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰,还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠是用来吸收超高频信号,象一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDRSDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠,而电...转载 2019-09-30 16:54:11 · 4565 阅读 · 0 评论 -
TVS管参数介绍及选型
转载 2019-10-09 11:20:17 · 578 阅读 · 0 评论 -
MOS管驱动设计没那么简单
一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。如果不考虑纹波和EMI等要求的话, MOS管 开关速度越快越好,因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分,因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。对于一个MOS管,如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时...转载 2019-10-09 20:08:25 · 3816 阅读 · 3 评论 -
看完这个就理解升压斩波(Boost)电路了
1、什么是斩波电路?斩波电路原来是指在电力运用中,出于某种需要,将正弦波的一部分"斩掉"。后来借用到DC-DC开关电源中,主要是在开关电源调压过程中,原来一条直线的电源,被线路"斩"成了一块一块的脉冲。2、斩波电路分类a、Buck电路:降压斩波器,其输出平均电压Uo小于输入电压Ui,输出电压与输入电压极性相同。b、Boost电路:升压斩波器,其输出平均电压Uo大于输入电压Ui,输出电压与输...转载 2019-09-18 15:43:14 · 1963 阅读 · 0 评论