高位交叉和低位交叉_挑战408——组成原理(13)——并行存储器

本文介绍了并行存储器提高访存速度的原理,包括双口RAM和多模块存储器。双口RAM通过空间并行实现访问,而多模块存储器分为高位交叉和低位交叉编址,其中低位交叉可能引发访存冲突。高位交叉编址在多CPU系统中适用,低位交叉编址可在不改变存取周期前提下提高带宽,但可能遇到访存冲突问题。
摘要由CSDN通过智能技术生成

随着计算机应用领域的不断扩大,处理的信息量越来越多,并且现代计算机的I/O设备也在不断增加,因此,提高访存的速度已经成为了迫不及待的任务。于是就出现了并行存储器。 在介绍并行存储器之前,

先来介绍一个概念: 存储器的带宽:表示单位时间内存储器存取的信息量,可用字/秒或者位/秒表示。是衡量数据传输率的重要技术指标。存储器的带宽是决定了以存储器为中心的机器获得信息的速度。

可以通过下面的几种方式提高:

1. 缩短存取周期

2. 增加存储字长

3. 增加存储体

双口RAM

为了提高CPU访问存储体的速度,可以采用双端口的存储器,多模块存储器等技术,它们同属于并行技术。前者为空间并行,后者为时间并行。双口RAM的模型图如下:

该模型允许两个独立的控制器同时异步地访问存储单元。但是这种方式有时也会带来一些读取错误。例如:

1. 两个端口对同一个地址单元写入

2. 两个端口对同一地址单元,一个写入,一个读出。

(熟悉操作系统的朋友应该能看出来,这是个读者写者问题的模型),

通常的处理方式是设立一个置忙信号Busy,当遇到上述状况的时候,将busy置0.暂时关闭一个端口。 可以看出,这是一个从空间上并行的存储技术。

多模块存储器

我们还可以从时间上并行并行存取。我们知道CUP的速度要比存储器要快,如果我们同时从存储器中取出几条指令,那么我们就可以充分利用CPU资源,提高运行效率。 多体并行存储器,由多体模块构成,每个模块

评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值