高位交叉编址与低位交叉编址

高位交叉编址和低位交叉编址是两种用于二维数组存储的地址映射方法，它们决定了如何在内存中排列数组元素。 这两种方法的主要区别在于如何分配行和列的内存空间。 它们对缓存命中率和访问效率有显著影响，尤其是在处理大型矩阵时。

1. 高位交叉编址 (High-Order Interleaving):

• 原理: 在高位交叉编址中，连续的内存地址存储的是同一列的不同行元素。 假设一个二维数组为 A[rows][cols]，首先存储 A[0][0], A[1][0], A[2][0], …, A[rows-1][0]，然后是 A[0][1], A[1][1], A[2][1], …, A[rows-1][1]，以此类推，直到存储完所有列。

• 内存布局示例: 考虑一个 4x3 的数组 A：

  地址	元素
  0	A[0][0]
  1	A[1][0]
  2	A[2][0]
  3	A[3][0]
  4	A[0][1]
  5	A[1][1]
  6	A[2][1]
  7	A[3][1]
  8	A[0][2]
  9	A[1][2]
  10	A[2][2]
  11	A[3][2]

• 访问模式: 如果程序访问数组元素时按照列优先的顺序进行，那么高位交叉编址的效率很高，因为连续访问的元素在内存中也是连续的。 这有助于提高缓存命中率，因为CPU可以一次性从内存中读取多个连续的元素到缓存中。

• 优点: 列优先访问效率高，缓存命中率好。

• 缺点: 行优先访问效率低，缓存命中率差。

2. 低位交叉编址 (Low-Order Interleaving):

• 原理: 在低位交叉编址中，连续的内存地址存储的是同一行的不同列元素。 首先存储 A[0][0], A[0][1], A[0][2], …, A[0][cols-1]，然后是 A[1][0], A[1][1], A[1][2], …, A[1][cols-1]，以此类推，直到存储完所有行。

• 内存布局示例: 同样的 4x3 数组 A：

  地址	元素
  0	A[0][0]
  1	A[0][1]
  2	A[0][2]
  3	A[1][0]
  4	A[1][1]
  5	A[1][2]
  6	A[2][0]
  7	[2][1]
  8	A[2][2]
  9	A[3][0]
  10	A[3][1]
  11	A[3][2]

• 访问模式: 如果程序访问数组元素时按照行优先的顺序进行，那么低位交叉编址的效率很高，因为连续访问的元素在内存中也是连续的。

• 优点: 行优先访问效率高，缓存命中率好。

• 缺点: 列优先访问效率低，缓存命中率差。

总结:

选择高位还是低位交叉编址取决于程序的访问模式。 如果程序主要按照列优先访问数组元素，则高位交叉编址更有效；如果程序主要按照行优先访问数组元素，则低位交叉编址更有效。 在实际应用中，编译器通常会根据目标机器的缓存结构和程序的访问模式自动选择合适的编址方式，或者程序员可以通过编译器选项或手动调整来控制。 理解这两种编址方式对于优化程序性能，特别是涉及大型矩阵运算的程序，非常重要。 现代编译器和硬件通常会进行更复杂的优化，但理解基本原理仍然至关重要。