flash块 stm32l0_STM32L011K4 Flash 操作

在L011中,除了普遍的Flash和OB外,还有EEPROM,而且还可以让Flash掉电运行.所以,他其实有4个密码,没错,是4个密码啊.如果Flash掉电了,那么就要RAM运行,也可以省一些电的.在Keil中这样定义RAM中运行代码.

__attribute__ ((section (".ramcode"))) void MyFunc(void){

while(1);

}

不过这2K RAM,是不是真的有点小呢,对于如果在RAM运行,就看要运行的小代码多大了.当然建议把Flash操作过程代码都放在RAM调试,当OK了再转移到Flash,不然调试过程因为Flash没法获取就没法调试了.

说回来那4个钥匙,手册也给了我们.

FLASH->PDKEYR = 0x04152637;

FLASH->PDKEYR = 0xFAFBFCFD;

FLASH->PEKEYR = 0x89ABCDEF;

FLASH->PEKEYR = 0x02030405;

FLASH->PRGKEY = 0x8C9DAEBF;

FLASH->PRGKEY = 0x13141516;

FLASH->OPTKEY = 0xFBEAD9C8;

FLASH->OPTKEY = 0x24252627;

开锁顺序我也整理了一下.

编程EEPROM:PEKEY

编程Flash扇区:PEKEY+PRGKEY

编程OP字节:PEKEY+PRGKEY+OPTKEY

编程Flash RunMode 下掉电模式:PDKEY

EEPROM的地址范围是0x08080000 – 0x080801FF,测试程序如下.

uint8_t i = 0;

__attribute__ ((section (".ramcode"))) void EEPROM_WriteBytes(uint32_t addr, uint8_t code)

{

/* 储存总线没有进行写入/擦除工作. */

while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);

/* 输入密码解锁储存器 */

FLASH->PEKEYR = 0x89ABCDEF;

FLASH->PEKEYR = 0x02030405;

/* 等待解锁成功 */

while(FLASH->PECR & FLASH_PECR_PELOCK);

/* 编程内容 */

*(uint8_t *)(addr) = code;

/* 等待编程完成 */

while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);

/* 加锁储存器 */

FLASH->PECR |= FLASH_PECR_PELOCK;

}

int main(void)

{

for(i = 0; i < 0xff; i++)

{

EEPROM_WriteBytes(0x08080000, i);

if(*(uint8_t *)(0x08080000) != i)

{

while(1); /* 错误发生 */

}

}

while (1)

{

}

}

当然了,实际操作中,可以全部写完再加锁,甚至可以不加(就是有点不安全吧).EEPROM的寿命是100K次的,也就是10万次,寿命是很足够的记录很多数据.大致推算也有几十MB的写入寿命了,这EEPROM又这么慢,很耐用的.

接下来看看Flash.其中已知Flash编程需要2个Key.根据Flash特性还要先擦后写.每个扇区大小是128B,所以这一系列器件最大的竟然可以到1536扇区.但是这个Flash只支持一次性编程32Bit或者一次性编程16 Word(Half Page).一次性编程Half Page肯定比32Bit不断来回节省的.