[GaN-001]纳米多孔GaN/n型GaN(sys)
Nanoporous GaN/n-type GaN: A Cathode Structure for ITO-Free Perovskite Solar Cells
Article Information
标题:Nanoporous GaN/n-type GaN: A Cathode Structure for ITO-Free Perovskite Solar Cells
作者:Lee K J, Min J-W, Turedi B, et al.
期刊:ACS Energy Letters, [IF:19.003]
DOI: 10.1021/acsenergylett.0c01621
出版年: OCT 9 2020
Introduction
目标:钙钛矿太阳能电池(PSC)制造的关键问题之一是通过结合提取光生电子的关键材料元件,如电子传输层(ETL)和透明导电层(TCL,阴极电极),设计最合适的阴极结构。在PSCs中用TCL层和ETL层以提高载流子选择性提取和减少表面复合损失。
ETL:电子传输层;提取光电流,热电导性能好
TCL:透明导电层;高光透过率、高导电性(ITO价格问题)
文章作法:引入n-GaN上的纳米多孔氮化镓(NP GaN),形成NP GaN/n-GaN,作为具有TCL和ETL作用的双功能阴极结构,并包覆甲基铵碘化铅(MAPbI3) PSCs。
Detail
通过对n-GaN电化学蚀刻得到NP GaN(不同蚀刻时间:1,5,10min)