室温下GaN量子点单光子源的性质

最新推荐文章于 2022-08-28 20:54:31 发布

zycteam2020

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本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_42143258/article/details/115003985

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文章介绍了日本东京大学研究团队在室温下实现的III-Nitride纳米线量子点的单光子发射。这些位点控制的量子点显示出对温度的显著抗干扰性，300 K时的g(2)[0]值仅为0.13。尽管存在波长范围宽和单光子发射纯度不高的问题，但其在室温量子信息处理应用上的潜力仍然被看好。研究人员正探索通过pn结、微腔或滤光器来提高单光子的质量。

摘要由CSDN通过智能技术生成

文章概要

基本信息

标题：Room-Temperature Triggered Single Photon Emission from a III-Nitride Site-Controlled Nanowire Quantum Dot
作者：Mark J. Holmes, Kihyun Choi, Satoshi Kako, Munetaka Arita, and Yasuhiko Arakawa
课题组：日本东京大学纳米量子信息电子学研究所
原文链接

摘要

我们展示了嵌入纳米线中的位点控制的ⅲ族-氮化物量子点在室温下的触发单光子发射。此外，我们揭示了单光子统计的显著温度不敏感性，以及在300 K时的g(2)[0]值仅为0.13。使用高质量、小的、位置受控的量子点与宽带隙材料系统的结合对于提供足够的激子约束和具有最小污染的发射光谱以实现室温操作是至关重要的。这种单光子发射器阵列将用于室温量子信息处理应用，如片上量子通信。

实验结果

图1：位置控制纳米线量子点的图像。(a) 扫描电子显微镜图像显示通过选择性区域金属有机化学气相沉积在图案化的二氧化硅衬底上生长的单根纳米线。插图显示了由2微米分隔的纳米线阵列(光学实验使用的间距为20微米)。(b) 透射电子显微镜图像清楚地显示在单根纳米线尖端附近形成了单个QD。(c) 含有单一QD的纳米线示意图。

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室温下GaN量子点单光子源的性质

目录标题文章概要基本信息摘要实验结果结论评价优势劣势思考文章概要基本信息标题：Room-Temperature Triggered Single Photon Emission from a III-Nitride Site-Controlled Nanowire Quantum Dot作者：Mark J. Holmes, Kihyun Choi, Satoshi Kako, Munetaka Arita, and Yasuhiko Arakawa课题组：日本东京大学纳米量子信息电子学研究所原文
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