精准控制的开关电脉冲表征GST薄膜的相变行为(2121.8.29，cyy)

标题：Characterization of phase-change behavior of a Ge2Sb2Te5 thin film using finely controlled electrical pulses for switching
作者：Hyun Chel Lee，Jin Hwan Jeong and Doo Jin Choi
摘要：本文研究了Ge2Sb2Te5的相变行为，Ge2Sb2Te 5是一种广泛用于相变存储器的硫属化物材料，使用精确控制的电脉冲来提高开关操作的效率。电脉冲是一个关键参数，它提供源能量来可逆地在非晶态和晶态之间转换材料的相。电脉冲条件分为上升时间、设定时间和下降时间。同时研究了每一步对具有精细纳米级脉冲的材料相位的单独影响。还研究了ST和FT比值的复杂影响，以考察各步之间的相关性。结果表明，相变材料的状态和电性能取决于脉冲的具体条件。此外，我们使用透射电子显微镜观察材料的横截面图像来证实这些现象。最后，进行保持循环试验，以阐明相对于电脉冲的特定比率，材料的最稳定条件。结果表明，对于设置操作，傅立叶变换应该是ST的两倍以上，对于重置操作，应该是ST的10%以上。
正文：
SET operation：持续时间更长的低脉冲变成低电阻晶态；
RESET operation：结晶相被融化，通过短而强的电脉冲淬火成高阻非晶态；
降低功耗和切换时间是RESET和SET操作来提高PCM效率的关键；

**SET Operation：**控制电压：1.2V，RT：20ns，FT：1000ns，The longer ST had a lower resistance;电阻＜700Ω为结晶态，电阻＞1MΩ为非晶态；ST太短，PCM可能会保持非晶态，ST超过阈值，会更加结晶。
控制电压：1.2V，RT：20ns，ST：500ns，仅FT1000ns-2500ns产生晶态，The longer FT produced a high density in the crystalline phase;
最后得出结论，FT必须＞ST才能实现SET操作。

RESET operation：控制电压：1.4V，RT：20ns，FT：1000ns，Longer ST,电阻高是因为有更大融化区，从而使其转为无定形状态；
控制电压：1.4V，RT：20ns，ST：500ns，长ST和短FT导致非晶态、高电阻状态，并且FT必须小于ST才能成功执行RESET；
得出结论：RESET：ST需要高的能量消耗，FT需要很短淬火时间。研究表面脉冲时间的重要性＞强度；

存储器单元统称在10-100Ω范围内进行高/低电阻切换。
SET operation：FT=1/2/3ST；（2倍以上更好）
RESET operation：FT=0.1/0.2/0.3ST；（＞10%更好）
应在切换操作中考虑适当的FT，通过避免空隙形成过程改善单元器件的耐久循环性能（如双层材料的设计和GST材料的掺杂）

结论：用作PCRAM设备中开关操作的主要能量来源的电脉冲的细节是根据它们的波形(即，RT、ST和FT)来定义的。在SET操作中，长st和FT导致低电阻的结晶状态，并且发现FT必须大于ST才能成功执行SET操作。相反，在复位操作中，长st和短FT导致高电阻的无定形状态，并且发现FT必须低于ST才能成功执行复位操作。绘制了显示ST和FT如何与开关操作中的电阻和电流相关的图。通过透射电镜分析和SEAD模式，发现脉冲产生的电阻差异是由相变材料的晶体密度差异引起的。因此，本研究借助耐久循环试验，提出了切换操作的实际设置条件。为了更好地设置操作，建议使用两倍于ST值的FT值，因为短的FT会导致开关操作中的循环失败。为了更好的复位操作，建议使用大于ST值10%的FT值。对于希望在脉码调制研究中使用电脉冲的研究人员来说，地图的使用被认为是一种有用的信息来源。因此，我们提出了一种有效的方法来减少PCM开发中切换操作所需的时间。最后，精细控制电脉冲的比率是一个重要的工具来提高开关性能，对脉冲的研究应该随着材料、结构设计和集成的发展而继续。