608主控写入放大_东芝研制PLC闪存：主控带32组电压、寿命堪忧

今年的闪存峰会，东芝奉上不少干货。

除了获得展会最佳的XFMEXPRESS形态固盘、以太网SSD、XL-Flash等，东芝在路线图中还前瞻了SAS 4接口、PCIe 5.0/6.0标准、甚至是BiCS第四、第五代、第六代、第七代闪存产品，信号带宽分别高达800MT/s、1200MT/s、1600MT/s和超过2000MT/s。

同时，5bit/cell的PLC(Penta-level cell)闪存也新鲜登场，存储密度比QLC更高，但对主控、电路设计的要求也更高。如图所示，PLC闪存需要主控准确控制32路电压，挑战相当大。

与MLC、TLC相比，QLC(4bit/cell)已经相当慢，并且读写寿命最低。不过，东芝表示，NVMe协议中的新功能如ZNS(分区命名空间)应该有助于缓解其中的一些问题。ZNS设计之初是用于减少写入放大，减少过载和DRAM高占用，当然，也能提高吞吐量和改善延迟。

另外，从工艺上，东芝也在研发分割式3D存储工艺，看起来似乎是可以拼接QLC和PLC，以增加容量密度。