集成电路(IC) & 摩尔定律

一、发展简史

1940年代~1960年代中期，计算机都由独立部件组成，叫“分立元件”，然后不同组件再用线连在一起。如果想提升性能，就要加更多部件，这导致更多电线，更复杂，这个问题叫“数字暴政”。
（分立元件的定义：只有一个电路元件的组件，可以是被动的（电阻，电容，电感）或主动的（晶体管或真空管））

1950年代中期，晶体管开始商业化（市场上买得到），开始用在计算机里。晶体管比电子管更小更快更可靠，但晶体管仍然是分立元件。

1959年，IBM把709计算机从原本的电子管全部换成晶体管，诞生的新机器IBM 7090，速度快6倍，价格只有一半。晶体管标志着“计算2.0时代”的到来。（未解决“数字暴政”的问题）

1959年，Jack Kilby用锗来做集成电路，锗很稀少而且不稳定。Robert Noyce 的仙童半导体公司用硅将集成电路变成了现实，硅的蕴藏量丰富，占地壳四分之一，也更稳定可靠。所以Noyce被公认为现代集成电路之父。开创了电子时代，创造了硅谷（仙童公司所在地）。
（与其把多个独立部件用电线连起来，拼装出计算机，不如把多个部件包在一起，变成一个新的独立组件，这就是集成电路（IC，Integrated Circuits））

起初，一个集成电路只有几个晶体管，即使只有几个晶体管，也可以把简单电路封装成单独组件。可以将这些集成电路进行组合设计，创造更大更复杂的电路，这是面临一个问题：集成电路之间还是需要连起来。
工程师再度创新：印刷电路板，简称PCB（printed circuit boards）。它通过蚀刻金属线的方式，将两个组件连接到一起。将PCB和IC结合使用，可以大幅减少独立组件和电线，做到相同的功能的同时更小、更便宜、更可靠。

即使组件很小，塞5个以上的晶体管还是很困难，为了实现更复杂的设计，需要全新的制作工艺——“光刻”登场。就是用光把复杂图案印到材料上，比如半导体。它只有几个基础操作，但可以制作出复杂电路。

二、光刻

1、晶圆（硅）——长的像薄饼干一样，用晶圆做基础，把复杂金属电路放上面，集成所有东西。
2、在硅片顶部加一层薄薄的氧化层，作为保护层。
3、再加一层特殊化学品，叫“光刻胶”。（光刻胶被光照射后，会变得可溶，可以用一种特殊化学药剂洗掉）
4、再加光掩膜（类似于胶片，上面印有要转移到晶圆上的图案），把光掩膜盖到晶圆上。

5、用强光照射，挡住光的地方，光刻胶不会变化。光照到的地方，光刻胶会发生化学变化，洗掉它之后，暴露出氧化层。

6、用另一种化学物质——通常是一种酸，可以洗掉“氧化层”露出的部分，蚀刻到硅层。注意：氧化后层被光刻胶保护住了。

7、为了清理光刻胶（未被照射的部分），我们用另一种化学药品洗掉它。

8、现在硅又暴露出来了，我们想修改硅露出来的区域，让它导电性更好，所以用一种化学过程来改变它，叫“掺杂”。“掺杂”通常用高温气体来做，比如“磷”渗透进暴露出的硅。改变电学性质。

8、还需要几轮光刻法，来做晶体管。过程基本一样，先盖氧化层，再盖光刻胶。然后用新的光掩膜，这次图案不同，在掺杂区域上方开一个缺口。

9、洗掉光刻胶（照射的部分），再洗掉氧化层。

10、再洗掉光刻胶（未被照射的）


11、然后用另一种气体掺杂，把一部分硅转成另一种形式，为了控制深度，时机很重要，不能超过之前的区域。

12、现在所有需要的组件都有了。最后一步，在氧化层上做通道，这样可以用细小金属导线，连接不同晶体管。再次用光刻胶和光掩膜，蚀刻出小通道。

13、洗掉光刻胶（照射的部分），再洗掉氧化层，再洗掉光刻胶（未被照射的部分）。



14、现在用新的处理方法，叫“金属化”，放一层薄薄的金属，比如铝或铜。但我们不想用金属盖住所有东西，我们想蚀刻出具体的电路，所以又是类似的步骤：用光刻胶+光掩膜，然后溶掉暴露的光刻胶，暴露的金属。

洗掉光刻胶（照射的部分）

洗掉暴露的金属化

洗掉光刻胶（未被照射的部分）


晶体管终于做好了，它有三根线，连接着硅的三个不同区域。每个区域的掺杂方式不同，这叫双极型晶体管（BJT） 🚀。（这种晶体管的工作，同时涉及电子和空穴两种载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。）

用类似步骤，光刻可以制作其他电子元件，比如电阻和电容，都在一片硅上。而且互相连接的电路也做好了。
之前的例子只做了一个晶体管，但现实中光刻法一次会做上百万个细节。导线上下交错，连接各个元件。

尽管可以把光掩膜投影到一整片晶圆上，但光可以投射成任意大小。就像投影仪投满屏幕一样。我们可以把光掩膜聚焦到极小的区域，制作出非常精细的细节。
一片晶圆可以做很多IC，整块都做完后，可以切割然后包进微型芯片，微型芯片就是在电子设备中小长方体。记住芯片的核心都是一小片IC。

三、摩尔定律

1960年代初，IC很少超过5个晶体管，因为塞不下。
1960年代中期，市场上开始出现超过100个晶体管的IC。

1965年，戈登·摩尔看到了趋势：每两年左右，得益于材料和制造技术的发展，同样大小的空间，能塞进两倍数量的晶体管。这叫摩尔定律。然而这个名字不太对，因为它不是定律，只是一种趋势。但它是对的。

1968年，罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔联手成立了一家新公司，结合Intergrated（集成）和Electronic（电子）两个词，取名Intel，如今最大的芯片制造商，同时也是芯片设计公司。

1971年，Intel 4004 CPU是第一个用IC做的处理器，也叫微型处理器。它有2300个晶体管。开启了计算3.0。

1980年，3万个晶体管
1990年，100万个晶体管
2000年，3000万个晶体管
2010年，10亿个晶体管
iPhone 7的A10处理器有33亿个晶体管，面积仅有1cm×1cm

1970年代开始，超大规模集成（VLSI）软件，用来自动生成芯片设计。用比如“逻辑综合”这种技术，可以放一整个高级组件，比如内存缓存。软件会自动生成电路，做到尽可能高效。许多人认为这是计算4.0的开始。

晶体管更小密度更高的好处：
1、晶体管越小，要移动的电荷量就越小，能更快切换状态，耗电更少。
2、电路更紧凑，还意味着信号延迟更低，导致时钟速度更快。

进一步做小，会面临2个大问题：
1、用光掩膜把图案弄到晶圆上，因为光的波长，精度已达到极限。所以科学家在研制波长更短的光源，投射更小的形状。
2、当晶体管非常小，电极之间可能只距离几个原子，电子会跳过间隙，这叫：量子隧道效应。如果晶体管漏电，就不是好开关，科学家和工程师在努力找解决办法，实验室中已造出小至1纳米的晶体管，能不能商业量产仍然未知，未来也许能解决。

四、参考资料

[1]: 计算机科学速成课
[2]: 从真空管时代到CMOS时代
[3]: 视频：从沙子到芯片