计算机组成原理知识点(第四章 存储器),计算机组成原理 第4章存储系统.ppt

计算机组成原理 第4章存储系统.ppt

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第四章 存储系统主要知识点：１．掌握存储器的分类及其特点，理解存储系统的层次结构２．理解半导体存储器的存储信息与读写的原理、了解磁表面存储 器的读写原理３．掌握用半导体存储芯片组成主存储器的方法４．掌握Ｃache和虚拟存储器的工作原理５．了解磁盘存储器的结构和工作原理重点：　存储系统的层次结构、各类存储器的特点、主存储器的组织方法(与ＣＰＵ的连接方法)，难点：　主存储器的组织方法，Ｃache、虚拟存储器的工作原理4.1 概述一、存储系统的层次结构 ( 从速度、容量、成本价格 三方面及在计算机系统中承担的任务来分析：) 1、主存： 是CPU能直接编程访问的存储器。 工作速度快， 存储容量比较大， 能随机访问。2、外存储器 存放联机使用但暂不使用的程序和数据，CPU不能直接访问外存储器；需要使用时，必须从外存调入主存。 存储容量大， 速度慢， 平均成本(价格/位)低。3、高速缓冲存储器(Cache) 速度很快，(可以与CPU匹配) 容量小， 存放的是主存部分内容的副本。二、存储器的分类 1、按存储原理分：(即不同的存储介质) (1) 磁芯存储器 (2) 半导体存储器 (3)磁表面存储器 磁盘、磁带、磁鼓、磁卡等 (4) 光盘存储器 2、按存取方式分 (1) 随机存取存储器 (RAM) (2) 只读存储器 (ROM) (3)顺序存取存储器 (SAM) (4)直接存取存储器 (DAM)4.2 半导体存储单元与存储芯片一、六管静态MOS存储元与芯片 1、电路图如右： 双稳触发器原理。 *状态“0”： T1导通、T2截止 (A=0，B=1) *状态“1”： T2导通、T1截止 (A=1，B=0) 六管静态MOS存储元电路图2、 读写方式： 见下图读写波形图。 半导体RAM存储芯片的结构原理图 3、 静态MOS存储芯片举例2114SRAM芯片内部结构图 (1)内部结构　　下面我们对此SRAM存储器的组成做一下具体介绍：　　存储体：存储单元的集合，通常用X选择线(行线)和Y选择线(列线)的交叉来选择所需要的单元。　　　　 地址译码器：将用二进制代码表示的地址转换成输出端的高电位，用来驱动相应的读写电路，以便选择所要访问的存储单元。 地址译码有两种方式。 下表是地址译码的两种方式单译码　适用于小容量存储器　一个地址译码器双译码　适用于大容量存储器　X向和Y向两个译码器。 2、引脚与功能 (1)地址线(10根) A9---A0 (2)数据线(4根) 1/O4---I/O1 (3)片选线(1根) CS (4)读写线(1根) WE (5)电源、地线(2根) VCC 、GNDCS=0时，芯片可以读写CS=1时，芯片数据线为高阻态WE=0 ， 写操作WE=1， 读操作　　　　　　 2114的读周期　　　　　　　　　 读周期与读出时间是两个不同的概念。 读出时间：是从给出有效地址到外部数据总线上稳定地出现所读出的数据信息所经历的时间。 读周期：是存储片进行两次连续读操作时所必须间隔的时间，它总是大于或等于读出时间。 (3)读写时序二、动态MOS存储单元与芯片 1、单管动态MOS 存储元 (1)电路图如右： 电容充放电原理。 *状态“1”： 电容C上有电荷(充电的结果) *状态“0”： 电容C上无电荷(放电的结果) (2) 读写原理 单管动态MOS 存储元电路(1)暂存信息状态： 字线 Z=0(低电平)，管子 T 截止，电容C与位线W断开，电容C上若有电荷，则暂存信息“1”，若无电荷，存信息“0”。 (2)写入： 字线 Z=1(高电平)，管子 T 导通，位线W与电容C接通。 若写“1”，则W线上加高电平，对C充电-------即写入“1” 若写“0”，则W线上加低电平，C对W线放电-------即写入“0”。 (3) 读出： 先对W线预充电，使分布电容C’上电压 VM=(VH +VL)/2。 然后，字线 Z=1， T 导通，位线W与电容C接通。 若原存“1”，则C上有电荷，电压大于VM，此时C对W线放电， W线上有电流流出--------- 读出“1”； 若原存“0”，则C上无电荷，电压小于VM，此时W线对C放电， W线上有电流流出--------- 读出“0”。 2、 DRAM 芯片举例 (1) 2164芯片的内部结构图 (2)芯片引脚与功能 8根地址线：A7--------A0， 地址采用“分时复用”技术。 行选信号：RAS 列选信号：CAS (3)读写时序读周期三种刷新方式的时间关系DRAM的刷新电路的原理图(主存储器的基本结构)4.3 主存储器组织 用存储器芯片组织成一个满足实际需要的存储器，应解决以下的问题： (1)存储器地址范围的确定： 寻址逻辑，片选逻辑。 (2)存储芯片类型的确定： 固化区(ROM)、工作区(SRAM、DRAM)。 (3) 存储器与CPU的连接、匹配： 通过三总线(AB、DB、CB)连接，驱动。 (4)主存储器的校验： 奇偶校验、海明校验。一、半导体存储器的逻辑结构与设计 0、基本知识： 存储容量的表示方法 ：字数(或字节数)× 位数 例： 64K × 16 、 1M × 8 、 4MB 字寻址、 字/字节寻址的概念。 1、位扩展方式 当芯片的字长小于存储器的字长时，采用位扩展。 位扩展法的要点： 各芯片的数据线与CPU数据线的各对应位采用拼接(不能将各芯片的数据线串在一起连接)----称之为“位的并联”，而各芯片的片选线应连在一起，合用一个片选信号。 位扩展法组成的 1K*16 的存储器见下面的例子： 用4片1K*4的2114芯片组成一个 。省略部分。 b4 第 3 组 # # # # G3 第 2 组 # # # # G2 第 1 组 # # # # G1 正确码 1 0 1 1 0 1 0 G3G2G1=000 一位错 1 0 1 1 1 1 0 G3G2G1=101 举例：七位海明码 ( N=7, k=4, r=3 ) 设有效信息位为： b1b2b3b4=1010, 其海明码如下表： P1 = b1⊕b2⊕b4 = 1 G1 = b1⊕b2⊕b4⊕P1 P2 = b1⊕b3⊕b4 = 0 G2 = b1⊕b3⊕b4⊕P2 P3 = b2⊕b3⊕b4 = 1 G3 = b2⊕b3⊕b4⊕P3 4.4 磁表面存储原理一、磁表面记忆原理 1、记忆介质----磁层 具有矩磁特性的材料(如氧化铁)的粉末敷在某种基体上。涂层很薄，约0.1um。矩磁特性如右图的磁滞回线。 2、 读写信息元件----磁头。 用高导磁材料构成。上面绕有线圈。磁头面向记录介质的部分开有间隙，称头隙。二、读／写原理　(１)写入　若磁头线圈通正向电流:　Ｉ＝＋Ｉm ,磁头下磁层被磁化，形成一个正向的磁化单元。若磁头线圈通反向电流:　Ｉ＝－Ｉm ,磁头下磁层被磁化成一个反向的磁化单元。　　(２)读出　　线圈中不通电流。由于记录磁层在磁头下方运动，通过线圈的磁通量发生变化，线圈上产生感应电势e. 感应电势e方向的不同，读出的信息也就不同。.３、磁记录编码方式　(１)　不归零－１制(ＮＲＺ１)　　(２)调相制(ＰＭ)　　(３)　调频制(ＦＭ)(３)　改进调频制(Ｍ２Ｆ)4.5　磁盘存储器　１、软盘盘片结构２、　信息分布与软盘寻址信息　(１)磁道　　每个磁盘记录面上有若干个同心圆的磁道。最外一圈为０磁道，作为磁头定位基准。　　道密度：沿径向，单位距离的磁道数。　　位密度：磁道圆周上单位距离可记录的位数。　(２)扇区　　每个磁道沿圆周划分若干个扇区，每个扇区存放一个固定长度的数据块。　(３)软盘寻址信息　　　台号　磁头号　磁道号　扇区号　　(扇区是磁盘信息可寻址的基本单位)　　３、磁道记录格式4.6　存储系统组织一、双端口存储器与并行主存系统　１、双端口存储器　(见下图)　(１)应用背景：　提高访问主存的速度。　传统的存储器一次只能接收一个访问者。　双端口存储器一次可以接收２个访问者。　(２)结构特点；　具有两个独立的读／写口。每个读／写口要有一套独立的地址寄存器和译码电路。　两个读／写口可以独立工作，可以访问相同的存储空间(同一个单元)。　(３)应用场合：　Ａ、运算器中的通用寄存器。　　　　　　　　　　　　Ｂ、高速系统中的主存。　　双端口存储器２、并行主存系统　(１)单体多字主存系统 (２)多体交叉存取并行主存系统二、并行处理机与多机系统中的存储组织 1、关于并行处理的几个基本概念 (1) 单指令流多数据流计算机(SIMD) 指具有一个指令部件、多个处理单元的处理机 。 并行处理机就是属于 SIMD结构。(见下图) (2) 多指令流、多数据流计算机(MIMD) 指具有多个指令部件、多个处理单元的处理机 。 多机系统就是属于MIMD结构。 (见下图) 2、并行处理机中的存储器结构 (1)分布存储器结构 (2) 共享存储器结构分布存储器结构的并行处理机共享存储器结构的并行处理机3、紧密耦合多机系统中的存储器结构特点：(1) 每个CPU有自己的局部存储器LM。 (2)各个CPU共享存储器，通过总线与各个CPU 互连。 (见下图)4、松散耦合多机系统中的存储器结构 特点：(1) 通过消息传递系统“MTS”连接多个计算 机模块。 (2)各个CPU通过自己的局部总线与自己的局 部存储器LM互连。(见下图)三、高速缓冲存储器Cache 1、Cache的理论依据与设计思想 (1)“程序的局部性原理”是Cache的理论依据。 时间上的局部性、空间上的局部性。 (2)设计思想： 在CPU与主存之间设置一个容量不大但速度很快的存储器(即Cache)，存放主存中的部分内容(通常是正被CPU频繁访问的)。CPU同时访问主存和Cache，若在Cache中找到，称命中，CPU就不再访问主存。由于程序的局部性原理，命中率会很高，从而提高了CPU访问主存的速度。2、地址映象 主存与Cache均划分为若干大小相等的“页”。 地址映象是指：主存中的某一页若要复制到Cache中去，应复制到Cache的哪一页的位置上。 有三种映象方式： (1) 全相联映象方式 (2) 直接映象方式 (3) 组相联映象方式 见下面的图示。 (全相联映象方式) (直接映象方式)(组相联映象方式)3、 替换算法 (1) 随机替换算法(RND) (2)先进先出替换算法(FIFO) (3) 近期最少使用替换算法(LRU)四、虚拟存储器 为了扩大主存的容量，在存储管理部件(硬件)和操作系统中的存储管理软件的支持下，将主存和辅存的一部分作为一个整体，将它们的地址空间统一编址，为用户提供一个比实际主存的容量大得多的地址空间，称其为虚拟存储器。 虚拟存储器的三种模式： (1) 页式虚拟存储器、 (2)段式虚拟存储器 (3)段页式虚拟存储器 1、页式虚拟存储器页表页式虚拟存储器地址转换示意图2、段式虚拟存储器段式虚拟存储器地址转换示意图段页式虚拟存储器地址转换示意图 关 键 词： 组成 存储 系统 原理 计算机

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