k2698场效应管参数电流_【电子知识点】MOS管重要参数-01（极限参数与静态参数）...

MOS管

MOS管即金属氧化物半导体场应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件；

MOS管有三个电极：

栅极G：

MOS管的控制端，全名为：GATE，在G端加入高低电平即可控制MOS管的开断。对于NMOS管而言，要求Vgs>0时，MOS管导通，否则MOS管关断；PMOS管，反之

源极S：

全名为：Source，简称S。对于NMOS管来说，S是流出端，对于PMOS管来说，S是流入端

漏极D：

全名为：Drain，简称D。对于NMOS管来说，D是流入端，对于PMOS管来说，D是流出端

PS：MOS管根据类别又分为NMOS管和PMOS管

NMOS管的特性：Vgs大于一定的值就会导通，适用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到一定电压就可以了；

PMOS管的特性：Vgs小于一定的值就会导通，适用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS

作用是：加在输入端G（栅极）电压，来控制D（漏极）输出端电流。

导通特性：作为开关，相当于开关闭合

常见封装：<