文档介绍:
福建农林大学计算机与信息学院信息工程类实验报告
系: 计算机系专业: 计算机科学与技术年级: 2007级
姓名: 学号: 实验课程: 计算机组成原理
实验室号:__ 实验设备号: 1 实验时间: 2009年5月11日
指导教师签字: 成绩:
实验二 存储器实验
1.实验目的和要求
1.掌握静态随机存储器RAM工作特性。
2.掌握静态随机存储器RAM的数据读写方法。
2.实验原理
实验所用的半导体双端口静态存储器电路原理如图2-1所示,实验中的双端口静态存储器的左端口和右端口,它们分别具有各自独立的地址线(A0-A9)、数据线(I/O0-I/O7)和控制线(R/W,CE,OE,BUSY)。它的结构参考附录1中的7130结构图。在实验系统的大多数实验中,该芯片仅使用了右端口的数据线、地址线、控制线,使用方法与通用的单端口静态存储器相同;在做与流水相关的实验中同时用到了它的左、右端口。本节实验中左、右端口数据线接至数据总线,左、右端口地址由地址锁存器(74LS273)给出。地址灯LI01—LI08与地址总线相连,显示地址内容。输入单元的数据开关经一三态门(74LS245)连至数据总线,分别给出地址和数据。
图2-1 存储器实验原理
地址总线为8位,接入IDT7130的地址AL7—AL0与AR0—AR7,将IDT7130的高两位AR8-AR9接地,所以其实际容量为256字节。IDT7130两个端口分别有三个独立的控制线,如右边有:CER(右端口片选线)、OER(右端口读线)、R/WR(右端口写线)。本实验中将左、右端口的读线OER常接地,在此情况下,当CER=0、R/WR=0时进行右端口写操作,CER=0、R/WR=1时进行右端口读操作,其写时间与T3脉冲宽度一致。原理图中右端口的地址线AR8—AR9接地,其访问实际容量为256字节。同时由于左端口的写信号R/WL常接地=高电平,所以左端口的写功能被封锁了,