太阳电池板特性实验_太阳能电池特性实验讲义

太阳能光伏电池实验讲义

一、实验目的

1

、了解

pn

结基本结构与工作原理；

2

、了解太阳能电池的基本结构，理解工作原理；

3

、掌握

pn

结的伏安特性及伏安特性对温度的依赖关系；

4

、掌握太阳能电池基本特性参数测试原理与方法，了解光源波长、温度等因素对太阳能电池

特性的影响；

5

、

通过分析

pn

结、

太阳能电池基本特性参数测试数据，

进一步熟悉实验数据分析与处理的方

法，分析实验数据与理论结果间存在差异的原因。

二、实验原理

1

、光生伏特效应

半导体材料是一类特殊的材料，从宏观电学性质上说它们导电能力在导体和绝缘体之间，

导电能力随外界环境(如温度、光照等)发生剧烈的变化。半导体材料具有负的带电阻温度系

数。从材料结构特点说，这类材料具有半满导带、价带和半满带隙，温度、光照等因素可以使

价带电子跃迁到导带，

改变材料的电学性质。

通常情况下，

都需要对半导体材料进行必要的掺

杂处理，调整它们的电学特性，以便制作出性能更稳定、灵敏度更高、功耗更低的电子器件。

基于半导体材料电子器件的核心结构通常是

pn

结，

pn

结简单说就是

p

型半导体和

n

型半导体

的基础区域，太阳能电池本质上就是

pn

结。

常见的太阳能电池从结构上说是一种浅结深、大面积的

pn

结。太阳能电池之所以能够完

成光电转换过程，核心物理效应是光生伏特效应。这种效应是半导体材料的一种通性。如图

1

所示，

当特定频率的光辐照到一块非均匀半导体上时，

由于内建电场的作用，

载流子重新分布

导致半导体材料内部产生电动势。

如果构成回路就会产生电流。

这种电流叫做光生电流，

这种

内建电场引起的光电效应就是光生伏特效应。

非均匀半导体就是指材料内部杂质分布不均匀的半导体。

pn

结是典型的一个例子。

n

型半

导体材料和

p

型半导体材料接触形成

pn

结。

pn

结根据制备方法、杂质在体内分布特征等有不

同的分类。制备方法有合金法、扩散法、生长法、离子注入法等等。杂质分布可能是线性分布

的，也可能是存在突变的，

pn

结的杂质分布特征通常是与制备方法相联系的，不同的制备方

法导致不同的杂质分布特征。

图

1

pn

结结构示意图