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MR25H40

第一次写ram的程序，留下笔记。

首先看芯片的主要特征

无写入延迟

•无限制的写入续航能力

•数据保留期超过20年

•断电时的自动数据保护

•快速、简单的SPI接口，MR20H40的时钟频率高达50 MHz。

•3.0至3.6伏电源范围

•低电流睡眠模式

•工业（-40至85°C）、扩展（-40至105°C）和AEC-Q100

1级（-40至125°C）温度范围选项。

•可提供8引脚DFN或8引脚DFN-小型标志，符合RoHS标准

包装。

•直接替换串行EEPROM、闪存和FeRAM

•MSL等级3

MR2xH40是一系列4194304位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件

组织为524288个8比特的字。它们是应用程序的理想内存解决方案，这些应用程序必须

使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序。它们具有串行EE PROM和串行闪存兼容的读/写定时，无写延迟和无限读/写

耐力与其他串行存储器不同，MR2xH40系列可以同时进行读取和写入

随机存储在内存中，两次写入之间没有延迟。

MR2xH40系列可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。这个

MR20H40（50MHz）具有工业（-40°C至+85°C）范围。提供MR25H40（40MHz）

具有工业级（-40°C至+85°C）、扩展级（-40至105°C）和AEC-Q100 1级（-40℃至+125°C

操作温度范围选项。

两者均提供5 x 6mm、8引脚DFN封装。引脚输出与串行SRAM兼容，

EEPROM、闪存和FeRAM产品。

硬件部分：

芯片是个简单的8引脚封装，看一下他的信号

发现除了电源和地，以及spi通信接口外还有两个引脚，spi大家应该都没问题，现在只看WP和HOLD引脚，

WP： 低电平时阻止写入，也就是写保护。

Hold：中断对内存的操作。发生在CS低的时刻。

我们发现，在一般应用场景下这两个引脚直接忽略即可。但是需要注意的是，如果不使用的话记得拉高，以防出现意料之外的情况。会给调试带来大麻烦。

对这两个引脚解读之后我相信大家应该就觉得小CASE了。接下来我们说控制的部分。见下图：

这张图是芯片控制的核心部分，我们可以看到一共有8个命令。对于第一次写的我来说不明白后三列的意义是什么，看了半天后面的时序图才明白，直接说结论:这款芯片的SPI帧的组成分为三部分，命令、地址、数据。后面为字节数。如果为0表示不需要，并且在波形上不需要提供对应的时隙。

       从时序上分为三类，用1表示有、0表示没有，表示为100，101，110.但是仔细想，在数据上又分为mosi和miso。因此状态机可不止三种跳转序列，而是五种。

       然后我就开始了读数、写数，结果完全读不到。我就开始检查spi_mode。  

结果0和3均可。我使用的mode3，所以没问题。

       然后开始检查wp、hold，将其拉高，结果没有作用。

       然后开始发现这样一张图

就是说出厂默认为全0。又看到下面这张图，全0明显是全保护状态。

 

所以我需要对其进行解锁，也就是配置状态寄存器。我给状态寄存器配置了0x02，也就是按照第二个真值表来配置，无果。

       我突然想起来，配置寄存器会不会也需要写使能，说干就干。然后我惊奇的发现，可以读到非0的数了，也就是说，配置寄存器也需要写使能。但是我读了随机区域的一个数据，仍然是全0。一头雾水。好像是内存区域还在保护。于是我改成0x82，大功告成。

       到现在都没有明白，出厂时wel为0，那么就全保护状态，还怎么能写状态寄存器来改变wel呢？这不是死循环么?