研究背景
ZnO是一种有趣的直接宽带隙半导体,正在探索其在众多应用中的潜力[1]。过渡金属掺杂ZnO是自旋电子学领域有前景的候选材料。自旋电子学(或自旋电子学)基于利用载流子的量子力学自旋特性以及载流子电荷来实现电子功能的概念[2, 3]。许多研究小组已经对镁掺杂ZnO合金进行了大量进展,并证实带隙变宽,MgxZn1-xO合金的结构从六边形变为立方体[4]。氧化镁(MgO)具有7.8 eV的带隙和立方晶体结构。在之前的工作中,我们研究了由溶胶-凝胶法制备的Zn1-xMgxO纳米材料和Mg溶解度的结构特性[5]。
研究主旨
本文研究了(Al/Mg)共掺杂的纳米氧化锌的结构和磁性性质。通过溶胶-凝胶法制备了不同浓度的Mg和Al掺杂的ZnO样品,发现Mg2+和Al3+可以取代Zn2+形成单相ZMAO。这种取代导致晶格参数变化,使得ZMAO晶格逐渐偏离六方闪锌矿结构。在室温下观察到了铁磁性,且饱和磁化强度随Al掺杂量的增加而增加。这些结果表明,通过调整Mg和Al的含量,可以调节ZnO的磁性性质。
研究特点
通过简单的溶胶-凝胶过程制备了多晶纳米颗粒Zn1-x-yMgxAlyO (ZMAO)(x= 0, 0.05, 0.1 和 y= 0, 0.05和0.1)系统。采用X射线衍射(XRD)和Rietveld方法进行了结构和微观结构分析。分析表明,Mg2+和Al3+取代Zn2+产生ZMAO单相。取代Zn+2以相反的方式影响晶格参数,参数c减小而a增大,总体上c/a比值减小,使ZMAO晶格逐渐偏离六方闪锌矿结构。在不同外场下测量了零场冷却(ZFC)和场冷却(FC)下的磁化强度与温度的关系。此外,在不同温度下测量了磁化强度与施加场的关系。该系统在室温下表现出铁磁性。饱和磁化强度随Al掺杂量的增加而增加。