600°C下In-Rh-As系统中的相平衡

研究背景

期望的内在特性，包括小的有效电子质量、高低场电子迁移率和高电子饱和速度使得InAs成为高速电子设备（如场效应晶体管(FETs)和异质结双极晶体管(HBTs)）制造的有希望的材料。（对于InAs的物理性质和当前InAs器件技术的状态的综述，读者可以参考Ref.[1]。）在上述此类设备中，金属接触往往必须直接连接到InAs上。金属接触与化合物半导体界面的化学强烈影响金属接触的电性能。Lin等人[2]和Beyers等人[3]已经证明了三元相图在合理化金属薄膜与化合物半导体之间发生的化学反应以及选择稳定的接触材料方面的实用性。

研究主旨

本文研究了In-Rh-As系统在600°C下的相平衡，发现了新的三元相Rh3InsAs2，并确定其结构和形成温度。同时，研究了系统内其他二元和三元相的溶解度和稳定性。这些结果对理解InAs材料的接触材料选择有重要指导意义。

研究特点

使用X射线衍射、电子探针微分析、扫描电子显微镜和差热分析，建立了600°C下In-Rh-As系统中的相平衡。证实了InAs与RhIn3、Rh3InsAs2、RhAs2和RhAs3处于热力学平衡。在文献中未被报道过的Rh3In5As2被发现具有立方Ir3Ge7(cI40, D8f)结构，晶格参数a=0.91653±6 nm。结合X射线衍射和差热分析实验表明，Rh3InsAs2在829±5°C下通过包晶反应形成，即RhIn+L--->Rh3InsAs2。提出了一个示意图，以50 at.%铟In-Rh-As相图等温线来说明这一反应。发现RhAs溶解了8 at.%的铟。Rh9+xAS7、RhIn3和RhIn也显示出一些三元溶解度。RhIn表现出相当大的二元均匀性范围，在600°C时至少达到4449 at.%的铑含量。目前的研究结果表明，RhIn3作为InAs的热动力学稳定、基于铑的接触材料最为合适。

文章出处 600°C下In-Rh-As系统中的相平衡