MOS管学习

因为之前应用到MOS发现自己对MOS管的认识还不够，所以清明假期的时候自己重新学习了MOS管.接下来我给大家总结并谈一谈我对MOS管的知识总结。

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体。

图是典型平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图所示。

从图中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起，这样，相当于D与S之间有一个PN结。

MOS管（场效应管）的应用领域

1：工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源

2：新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

3：交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车

4：绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器

应用MOS管都是作为开关电源的开关管的角色出现。

MOS管的分类。

MOS管属于场强效应管（FET）的一种，MOS管可以分为耗尽型和增强型，增强型和耗尽型又分别有P管和N管.MOS管应用的应用率远远大于三级管，因为MOS的驱动能力更强。而PMOS和NMOS在应用中，NMOS又占主导地位，是由于制作工艺的原因使得NMOS的性能好于PMOS，主要体现在以下1.NMOS耐压大于PMOS. 2NMOS流过电流大于PMOS。3.NMOS开关速度大于PMOS.所以接下来我主要以NMOS为主给大家简绍MOS管。

如图是增强型NMOS的电气图，我一般如何判断三极的喃?

S极：电气图中有两个连在一起的就是源极S

G极：栅极比较好认就不用说了吧，单独引出的一极为栅极G

D极：除以上两脚自然就是漏极D

我是如何判断是P沟道还是N沟道喃？

通过MOS管电气图箭头指向箭头永远是P材料指向N，所以第一个图中箭头终端是N材料，终端就是沟道 ，故第一个为NMOS, 同理第二个图起始段为沟道位置，即为P材料，所以第二个图为PMOS.

如何判断寄生二极管（体二极管）的方向喃？

如图可以看中间衬底箭头与寄生二极管的方向相同。

MOS管在电路当中的应用时最主要关注那些方面喃？

1. MOS管种类
2. 输入输出分别接MOS管的 哪一极？

NMOS：D极接输入，S极接输出
PMOS：S极接输入，D极接输出

为了让大家更深刻记忆，我们可以做出假设如下图，如果NMOS管，D端接输出，S端接输入，对于寄生二极管来说不管MOS管是否开通，输入和输出都会导通，G极将时区对是否开通的控制，假设所以不成立。

1. MOS管的开关条件

N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|

大多数NMOS管的Ugs都是在4.5v左右.

1. MOS管的开关特性及三种极间电容对MOS管的影响

对于MOS管来说最主要的极间电容有三个，即Ciss,Coss,Crss.

这些有负面影响的极间电容都是应为生产工艺的原因无法避免的，任何一款MOS管，在市场上销售时厂家都会给出相应的参数手册，在参数手册上就会给出MOS管的极间电容的大小，开启电压Ugs,通过的最大电流等相关参数的说明。

如下图是一款NMOS管的参数手册，左边是对MOS管性能的一些描述，右边则是一些相关参数，Vds是漏极和源极之间的最大电压，Id是在Ugs等于10v的时候Id的电流，Rds是MOS管在完全开通的时候漏极和源极之间的电阻大小（完全开通电阻也不会为0，因为制作工艺的原因），此电阻越小MOS开通时候发热就会越小，因为P=I^2R,所以此电阻越小的MOS管性能越好。

下图是厂家给出的Uds的最大值，Ugs的最大值，Id在不同温度下的典型值，其他的参数在这里就不简绍了，对于普通使用者知道MOS以上参数已经可以正常使用了

三种极间电容也是非常重要的，假如你只是想简单的使用MOS管，上面简绍的内容已经够了，对于极间电容的简绍，是想让大间对MOS管有一个更加深入的认识，和遇到一些对MOS管应用时对问题的一些解决办法。

 如下图是参数手册上厂家给出的极间电容的参数。

输入电容Ciss,它是将MOS管的漏源短路之后，用交流信号测得栅极与源极之间的电容，如下图标出来的就是输入电容，在实际电路中对MOS管的开关控制的过程就是对输入电容Ciss的充放电过程。

列如对MOS管施加电压使MOS管开，，栅极电压Ugs从0开始慢慢对电容充电，当电压大于Ugs(th)时，MOS管就会开通，由电路分析中对电容充电的知识我们知道充电速度的取决于电容的大小，越大越慢。

1. 模拟电路是一个渐变的过程，DS之间的开通与关断可以将其比喻成一个门，门的缝隙越大电阻越小，开通时间越长，开门这个过程中最后算下来的平均电阻就会越大，最后损耗就会越大，MOS管发热就会越明显。
2. 开通时间直接影响开关管开通与关断的速度快慢。

输出电容Coss:它是将栅极与源极短路后，用交流信号测得的漏极与源极之间的电容，对于软开关的应用Coss非常重要，应为它可能引起电路谐振。如下图

对于此图在MOS管开通过程中就等效于下图

MOS在开通过程中，ds之间就相当于一个可变电阻，当DS开通过程中电阻逐渐减小，减小到一定值时就会与电容形成谐振。

如下图是MOS管开通关断的理想过程

而出现谐振之后

Crss反向传输电容：在源极接地的情况下测得漏极和栅极之间的电容。反向传输电容也叫做米勒电容，因为会出现米勒效应，对于开关管来说反向传输电容是一个重要的参数。如下图就是米勒电容

米勒电容的影响过程比前两个极间电容复杂下面就跟大家分享一下我对米勒电容影响的理解。如图黄色的线表示Ugs,MOS管开始时对输入电容充电，Ugs逐渐变得大，达到一定值时红色的线Id开始有值，Id也逐渐变大，当Id达到满载值时电流将不会变化，此时Ugs和Id会出现一种转移特特性，即Ugs会跟Id出现一种比列关系，故此时Ugs也达到一个平台电压如图中的T2时刻，但是此时就会出现ugs并没有达到最大这时候输入的Ugs还在增加，此时Ugs跑到那里去了喃？其实就是存在米勒电容，UGS通过米勒电容经过ID流到地，形成了这样一个回路，这样也使得Id电流变大加速了漏源之间的完全导通（大家会以为Id达到满载值时漏源之间完全导通，其实不然大家可以看途中Uds之间是存在电压的说明漏源并没有完全导通），当完全导通后转移特性消失，就会继续向电容充电，使Ugs变大，此时Uds为0，Id依然保持不变。

对于Ugs出现的平台电压是有害的，在平台电压存在的时候Ids已经满载了，但是此时Uds之间还会存在电阻（并没有完全导通），所以就会产生损耗，发热的现象。平台电压时间越长发热就会越明显。减小平台电压的方法有1. 提高驱动电压或者减小驱动电阻，目的是增大驱动电流，快速充电。但是可能因为寄生电感带来震荡问题。2，栅极负电压驱动，但是增加设计成本。3. ZVS 零电压开关技术是可以消除米勒效应的，即在 Vds 为 0 时开启沟道，在大功率应用时较多。