硬件学习笔记第七节mos管

GS之间有一个电容

先对电容进行充电，充到阈值后，充电过程中是消耗电流和功耗的，当电流完成后，电容充满，则无电流，无电流则无消耗

  

DS之间等效成一个可变电阻

这个可变电阻在关断期间，阻值无穷大，在开通期间，阻值无穷小（很大的Id，乘以无穷小的电阻）

GS电容上有一个阈值电压，使得MOSFET导通

GS无电流，没有消耗，Rdson，在当前MOSFET下是最小值

MOSFET电流大，则Rdson必然是最小的，Rdson越小，则价格越贵，MOSFET导通了，没有回路，测量MOSFET的时候，需要将GS短路。

讨论MOSFET的损耗问题

 MOSFET的导通损耗，由MOSFET的Rdson决定

Id电流石油负载决定的

MOSFET的体二极管，方向跟Ids相反

正向定义：电流由D指向S，正方向

                 体二极管只能反方向导通

反向钳位电压0.7V，实际钳位电压跟二极管上面流过的电流是有关系的

二极管流过电流越大，则钳位电压越高

二极管有内阻，乘以电流，电流越大，压降越高

二极管的功耗问题：0.7*电流，二极管流过的电流也是由负载决定的

体二极管的功耗问题很大，也叫续流损耗

体二极管的电流一般是跟Id是接近或者相等的，体二极管，不是刻意做的，而是客观存在的

讨论MOSFET的GS电容问题

我们使用的MOSFET实际上是由若干个小的MOSFET合成的

低压MOSFET和高压MOSFET的差异

      负载功率相等3000W      电流        内阻法分析     从电压角度比较分析

      低压：24VDC                 215A         内阻小         多个管子并联        耐压很难做高     GS电容大

      高压：310VDC               9.7A          内阻大         多个管子串联        耐压跟高            GS电容小

高压的MOSFET则Rdson大

低压的MOSFET则Rdson小

MOSFET的GS电容

                     高压的MOSFET的GS电容小

                     低压的MOSFET的GS电容大

MOSFET里面集成大量的小的MOSFET

MOSFET的GS电容对管子开通特性的影响

                     相等的电流（电荷数）进行充电：

                                                                         GS电容大，则开通慢，高压的MOSFET开通快

                                                                         GS电容小，则开通快，低压的MOSFET开通慢

；

R2的好处：

           三态：高，低，高阻态

            可以确保是两态

           可以防止雷击，静电

GS之间接一个下拉电阻

可以确保给GS电容提供放电回路

确保关断——低，确保MOSFET的两态

可以防止雷击，静电

 因为有这个GS电容的存在，MOSFET的开通就有个延时。

GS下拉电阻的选取原则：

                                       太小则功耗大，也不利于管子的导通

                                       太大则不利于 雷击，静电等，这是内阻大

GS下拉电阻从10K到100K，建议18K，20K

Cgs电容也叫Ciss电容，输入电容，测量时，把DS短路，栅极输入一个交流电

Ciss=Cgd+Cgs

Cgd电容也叫Crss电容，米勒电容，随着漏极电容的升高而降低

Crss=Cgd

Cds电容也叫Coss电容，输出电容，测量时，把GS短路，漏极输入一个交流电

Coss=Cgd

MOSFET是如何导通的

阈值，开通和关断电压

阈值导通电压：4.5V，2V，1V

Vgs 删源极之间的压差，控制信号线上也有毛刺

从抗干扰角度：阈值电压越高越好

阈值导通电压的高及低的优势劣势比较分析

MOSFET工作在饱和导通状态下条件：

                                              GS压差需要大于4.5V，则饱和导通

                                              GS电容充电瞬间，R2和C3的内阻大小

GS电容充电过程分三个阶段

                           第一个阶段：GS电容的内阻为0，几乎所有的电流从电容上走的

                           第二个阶段：GS电容没有充满的情况下，电流分别分别从电阻及电容流，但主要的电流依旧从电容走。

                          第三个阶段：电容充满了，电流不从电容走，只有很小的电流从电阻走

开通损耗：

            由于MOSFET在开通期间，既有电压又有电流，则存在开通损耗

关断损耗：

            由于MOSFET在关断期间，既有电压又有电流，则存在关断损耗       

结论：MOSFET有四大损耗

         开通损耗       关断损耗               导通损耗                                 续流损耗

         米勒平台       米勒平台                Rdson                                   体二极管

         开关损耗                                    所有系统都有                          不是所有得系统都有

         发生在开和关期间                     可以通过选型降低损耗           裂变桥，损耗大小由系统                   与管子开关的次数成正比关系   损耗由系统的负载电流决定     的负载电流决定

米勒平台

    由于Vbus电压及负载电流不能改变

    开关损耗由米勒平台的时间宽度决定

如何减小米勒平台效应：

 方法：

          MOSFET的GS电容有大小   快管和慢管 

          快管

          增大Igs电流：

                              减小删极电阻

                              栅极驱动极的电流能力要大    两个方向

           提高删极驱动极的驱动电压：

                              提高栅极驱动极的驱动电压： 

                               +-20V之内      +-15V之内      +-12V之内

          压缩米勒平台时间，可以直接降低开关损耗 

          在米勒平台时间内，

                                        GS电流回路

                                              GS电容     Gd电容   Id    Vd   驱动电流的大小

                                             Layout回路的大小    MOSFET内部电感   板级走线的电感

                                            Vgs波形就容易发生震荡

                                           高压，受米勒电容影响更大，米勒电容与漏极的电压有关系

                                           DS电流小，高压管子开通容易出问题

                                            低压，受Id影响大，低压的管子在关断容易出问题

误触发信号受影响因素：

                                     控制信号和Id回路太大

                                     地线的干扰影响

                                     GS阻抗的影响

                                     MOSFET本身特性的影响

                                     影响着干扰信号的幅值和宽度