DRAM基本知识及操作系统内存管理策略

一、DRAM工作原理概述

DRAM(Dynamic Random Access Memory)即动态随机存储器，由许多重复的“单元”——cell组成，每一个cell由一个电容和一个晶体管（一般是N沟道MOSFET）构成，电容可储存1bit数据量，充放电后电荷的多少（电势高低）分别对应二进制数据0和1。由于电容会有漏电现象，因此过一段时间之后电荷会丢失，导致电势不足而丢失数据，因此必须经常进行充电保持电势，这个充电的动作叫做刷新(self-refresh)，这个刷新的操作一直要持续到数据改变或者断电。因此，DRAM具有掉电易失性。

在内存中，cell按矩阵形排列，每一行(row)和每一列(column)都会有一个对应的行地址线路（word line）和列地址线路（bit line），每个cell对应一个唯一的行号和列号，即内存的地址。Bank是指内存中的一串独立的数组，每个bank可以独立控制，是一个相对独立的存储体，有自己的地址译码单元和刷新再生放大器，彼此之间互不影响，各个bank靠存储芯片上的bank地址(BA)选择。

一些术语：

• RAS: row address strobe
• CAS: column address strobe
• WE: write enable
• Address: code to select memory cell location
• DQ(I/O): bidirectional channel to transfer and receive data
• DRAM cell: storage element to store binary data bit
• Refresh: the action to keep data from leakage
• Active: sense data from DRAM cell
• Pre charge: standby state

DRAM读取过程：

1. 通过地址总线将行地址传输到地址引脚；
2. /RAS引脚被激活，行地址被传送到行地址门闩线路中；
3. 行地址解码器根据接收到的地址数据选择相应的行；
4. /WE引脚被确定不被激活，所以DRAM知道它不会进行写入操作；
5. 通过地址总线将列地址传输到地址引脚；
6. /CAS引脚被激活，列地址被传送到列地址门闩线路中；
7. /CAS引脚还同样具有/OE引脚功能，所以Dout引脚向外传输数据；
8. /RAS与/CAS都不被激活，那么进入下一周期的数据操作。
   
   读取过程中的访问时序如下图所示：
   
   先执行预充电(PRECHARGE)