LDO的Multisim仿真

LDO的Multisim仿真

前言

近期深入学习了LDO的基本工作原理为了加深理解，使用Multisim14.2软件对LDO进行仿真，并分享仿真过程中遇到的几个问题，以及自己的理解和看法。

1、LDO内部原理框图如下 图1所示：

此为PMOS LDO的内部原理图，本次仿真使用的是PMOS LDO(主要是查阅LDO手册发现大多数LDO器件使用的是此种原理框图)。

2、按此搭建仿真原理图如下图2：

输入电压V1=10V,输出电压Vout=3.3V，采样电阻R1=22.1KΩ，R2=100KΩ，运放参考电压为0.6V，负载电阻R3=5Ω(此为可变电阻)。各个探测点电压已经给出。

3、在实际应用中负载是变化的，修改负载电阻R3=100Ω，继续仿真结果如下图3：

发现输出电压电流均不是预期值。其运放的正输入，LDO电压输出均出现问题。
更改另一款PMOS管(MTD4P06)继续仿真结果如下图4：

仿真成功，结果达到预期值，改大负载电阻R3，结果仍旧稳定，为何会出现如此形况。
查找器件资料发现对比两个PMOS管参数，如下图5：



两者常温下得Vgs(th)存在较大差异，上图手册中MTD4P06的Vgs(th)应该是-2V~-4.5V。
查看运放LM358得输出，如下图6：

发现运放最大输出Voh和供电电压Vcc之间压差为2V以上。而在图2中运放得输出已经达到8.35V，图3中已经达到8.5V。
故推断图3中运放已达到最大输出约为（VCC-1.5V），LDO输出3.3V电压已经超出了运放可调节范围。
假设负载图3中负载R3=100Ω时，电压Vout=3.3V，则电流负载电流应为33mA。实际上图3的Vgs电压为-1.5V,查看2SJ517 PMOS管手册，如下图7

Vgs=-1.5V对应的最大电流为300mA，实际仿真中图3输出电压为Vout=9.93V，电流为99.3mA，根据上图7判断2SJ517 PMOS管此时工作在可变电阻器区，即PMOS管得S极和D极之间等效为一个阻值恒定得电阻，不能起到维持输出电压的用。
#解决办法：
其一：提高运放的供电电压，让运放可以输出更高的电压，即Vgs>-1.5V,如此运放便可以正常控制PMOS输出，正常LDO电压。如下图8

将运放的供电电压提高到11V后LDO便可以正常输出。同时运放输出变大，Vgs=-1.26V。
其二：选用Vgs(th)更小的PMOS管如图4中的MTD4P06=-2V~-4.5V。
其三：选用轨到轨的运放(输出和供电电压相差极小)。