固态断路器概述

1. 引言

固态断路器（Solid-State Circuit Breakers，SSCBs）是一种基于功率半导体器件的保护装置,无需移动部件即可实现故障电流中断。与传统机电断路器相比,SSCBs具有多项优势:响应时间更短、无电弧中断、限制通过能量、使用寿命长和无噪声运行。

近年来,多个领域出现了对高性能保护装置的需求,如船舶配电系统、数据中心、航空电力系统、电池保护、光伏系统、电力变换器保护、铁路电力系统、国防电力系统和电动汽车充电基础设施等。这些应用多采用低压（48–1500 V）和中压较低范围（5–10 kV）直流配电系统,以获得系统级优势。然而,新兴的直流配电系统对保护装置提出了更高要求,现有机电断路器性能有限。因此,研究人员正在探索SSCBs等替代解决方案。

图1显示了SSCB与最先进机电断路器在短路事件中的代表性响应时间对比。可以看出,SSCB的中断时间比机电断路器短几个数量级,主要受故障检测电路的速度和精度以及功率半导体器件的关断速度限制。

2. 固态断路器的基本原理

典型SSCB的关键组成部分包括:功率半导体器件、栅极驱动器、冷却系统、电压钳位电路、故障感测系统、检测和跳闸电子装置以及辅助电源,如图3所示。

SSCB的代表性开关波形如图4所示。正常运行时,功率半导体器件处于导通状态。检测到故障或过载时,检测和跳闸电子装置通过栅极驱动器或换流电路关断功率半导体。功率半导体关断时,系统电感中的剩余能量在功率半导体上建立电压。当电压达到一定值时,电压钳位电路激活,将电压钳制在功率半导体的安全水平。电压钳位电路吸收系统感性元件中存储的剩余能量，同时将故障电流逐渐降低至零。在此过程中，断路器两端的电压最终稳定在系统额定电压水平。

3. 功率半导体技术

3.1 功率半导体技术分类

SSCB中使用的功率半导体技术可分为双极型与单极型器件、硅(Si)与宽禁带(WBG)材料器件,以及不同器件结构,如图5所示。

3.2 硅双极型器件

硅双极型器件如晶闸管、绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）、集成门极换流晶闸管（Integrated Gate-Commutated Thyristor，IGCT）、门极关断晶闸管（Gate Turn-Off Thyristor，GTO）和发射极关断晶闸管（Emitter Turn-Off Thyristor，ETO）能够阻断6.5-8.5 kV电压,额定电流可达3-6 kA。这些器件具有良好的可靠性、过电流和短路能力,尤其是晶闸管系列。

3.3 硅单极型器件

硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Si Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）被用于飞机配电系统的SSCB。例如,基于650 V/143 A MOSFET的拓扑被提出用于270 V/200 A断路器,具有2000 A过载和400 A2s耐受容量。

3.4 宽禁带器件

宽禁带半导体器件如碳化硅（Silicon Carbide，SiC）和氮化镓（Gallium Nitride，GaN）具有优异的材料特性,能够在更高温度、电压和开关速度下工作。根据文献报道，SiC单极型器件如结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）和MOSFET较早达到成熟,在650 V阻断电压时比导通电阻低至0.9 mΩ cm2,1.2 kV阻断电压时为2.5 mΩ cm2。SiC常开型JFET和SiC MOSFET因其低导通损耗、高温运行和市场可用性被认为适合SSCB应用。

GaN器件理论上具有最低的导通比电阻,可实现非常低的导通损耗。一种新型的横向GaN器件——单片集成的双向GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）——被测试用于SSCB应用。。该双栅、双向、常开的GaN-on-Si高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）器件能够双向导电并阻断正负电压,适用于双向直流和交流断路器应用。
图6显示了SSCB文献中主要功率半导体器件的电流-电压图。

4. 电路拓扑

SSCB的电路拓扑高度依赖于功率半导体开关的特性和应用要求。主要的SSCB拓扑如图7所示,可分为以下几类:

4.1 全控型功率半导体开关拓扑

包括反并联拓扑、全桥整流器+单开关拓扑和反串联拓扑。反并联拓扑使用反向阻断开关,如反向阻断IGCT,导通损耗最低。全桥整流器+单开关拓扑总成本低但导通损耗高。反串联拓扑适用于单极型FET,如SiC MOSFET,同步整流模式下可保持较低功率损耗。

4.2 半控型功率半导体开关拓扑

主要基于晶闸管或硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR）。这些器件导通损耗低、成本低,适合大电流应用,但需要额外电路辅助关断。包括电压源断路器、电流源断路器、Z源断路器、T源断路器和耦合电感断路器等。

4.3 高级拓扑

包括基于常开型功率半导体的拓扑、超级级联拓扑、无需额外检测电路的双晶体管对拓扑、自适应故障电流限制断路器和渐进开关方案等。这些拓扑旨在提高性能、降低成本或简化设计。

5. 电压钳位电路

电压钳位解决方案可分为线性和非线性两类,如图8所示。线性解决方案包括C型、RC型和RCD型。C型使用功率半导体并联缓冲电容器，充电过程减缓电压上升速率和峰值电压。RC型在C型基础上串联电阻，可抑制振荡并限制开通时的放电电流。RCD型在RC型基础上并联二极管，消除电阻上的额外电压降，显著减少关断时的电压振荡。

非线性解决方案主要包括金属氧化物压敏电阻（Metal Oxide Varistor，MOV）和瞬态电压抑制（Transient Voltage Suppression，TVS）二极管。MOV基于施加电压变化电阻的原理工作，当达到钳位电压时，MOV两端电压保持相对恒定。TVS二极管在雪崩模式下工作以钳位电压并吸收系统电感的剩余能量。一些研究者还探索了MOV和RCD电路的组合等混合解决方案。

表1对几种不同的电压钳位方法进行了定性比较。

6. 栅极驱动器

SSCB的栅极驱动器与功率变换器的栅极驱动器有一些不同要求。例如，SSCB的开通和关断是罕见事件，辅助电源需求主要由功率半导体的导通和关断状态功率要求定义。SSCB的开关dv/dt可能较低，因此对dv/dt隔离的要求也较低。此外，SSCB的栅极驱动器需要为功率半导体的导通和关断状态提供连续的栅极偏置。

SSCB的栅极驱动器可分为辅助供电栅极驱动器、故障能量收集型栅极驱动器和集成多功能栅极驱动器,如图11所示。

图12展示了单个和串联连接功率半导体的几种不同栅极驱动器设计。

7. 故障检测和跳闸电路

7.1 电流检测方法

包括直接检测和间接检测两种方法。直接检测使用专用电流传感器持续测量和监测电流，如霍尔效应电流传感器、巨磁阻（GMR）电流传感器和电流检测电阻。间接检测利用依赖于电流瞬时值或有效值及其变化率的系统参数进行检测，如监测功率半导体器件两端电压、电感两端电压、SiC JFET栅极电流或光发射等。

7.2 跳闸机制

跳闸机制因功率半导体类型和主电路拓扑而异。MOSFET、JFET和IGBT等器件可使用传统推挽式栅极驱动器。IGBT可采用去饱和（Desaturation，DESAT）检测和保护。晶闸管通常采用强制换流电路关断。高级晶闸管通过将器件内部沟道电流转移至栅极驱动器实现关断。

7.3 跳闸时间调整

跳闸特性用作故障保护的时间参考。实现可变跳闸时间的常用方法包括使用数字处理单元和模拟电路调整。数字处理单元方法精度较高,可以通过查表或数学模型跟踪故障能量。模拟电路调整方法精度较低,但实现起来较为简单。

8. 设计趋势与挑战

8.1 电压和电流范围

文献中报道的SSCB涵盖了广泛的额定电压和额定电流范围。表2显示了文献中几种选定SSCB技术在各种系统指标上的比较。

8.2 过电流能力

SSCB需要支持很宽的电流范围,通常为额定电流的5-10倍,持续时间在毫秒到秒的数量级。这种短时间高电流对SSCB来说是一个挑战,可能导致半导体芯片过热、损坏或提前老化。

8.3 器件电压利用率

功率半导体的阻断电压额定值与系统额定电压之比通常为1.5到2.5。这种电压过额定直接反映在半导体器件的成本增加上。改善电压钳位解决方案可以提高器件利用率并降低断路器成本,但可能延长电流降至零的时间。

8.4 系统级协调

SSCB需要能够在系统层面与其他断路器协调,以快速隔离受故障影响的区域,同时保持高电能质量和可用性。这在存在不同类型保护技术的系统中尤其具有挑战性。

8.5 漏电流问题

固态断路器的漏电流可能比依赖触点分离的断路器高出几个数量级,尤其在过电压和高工作温度下。高漏电流可能导致器件过热,需要通过选择低漏电流器件或外部措施来降低。

8.6 过电压保护需求

当断路器关断状态电压超过半导体器件击穿电压时,可能需要电流隔离开关。然而,添加电流隔离开关可能增加SSCB的复杂性和尺寸。

9. 结论

本文综述了可解决低压和中低压新型电力系统应用中对高性能保护设备需求的SSCB技术。主要结论如下:

1. 功率半导体技术: 文献提出了各种功率半导体器件,包括Si IGBT、IGCT和宽禁带半导体。Si器件提供经济高效的解决方案,而宽禁带器件在效率和功率密度方面显示出巨大潜力。
2. 电路拓扑: 提出了多种SSCB电路拓扑,以支持不同额定电压和电流的应用。这些拓扑包括全控型、半控型和高级拓扑,各有优缺点。
3. 电压钳位: 研究验证了几种电压钳位解决方案,如MOV和TVS二极管。这些解决方案在器件利用率和电流中断速度之间需要权衡。
4. 栅极驱动: 讨论了几种栅极驱动策略,包括利用功率半导体特性进行故障检测和断路器关断的创新方法。
5. 性能优势: SSCB已证明可以在几微秒内中断短路故障,限制通过故障能量,并降低电弧闪络危险。
6. 剩余挑战: 仍需解决一些挑战,包括最小化导通损耗、最大化电压利用率、提高浪涌电流能力、降低漏电流和提高功率密度。
7. 系统集成: 需要进一步研究SSCB在复杂配电系统中的协调和集成,特别是在混合保护技术的环境中。
8. 未来发展: 在封装和冷却系统集成方面的创新可能有助于充分发挥SSCB中功率半导体器件的潜力,特别是在提高浪涌电流能力方面。

总体而言,SSCB技术显示出巨大潜力,有望在新兴电力系统应用中提供高性能保护解决方案。然而,仍需进一步研究和开发以克服剩余挑战,实现SSCB的广泛商业应用。