电平转换模块3.3V转5V-双向

最新推荐文章于 2023-06-26 18:48:29 发布

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分类专栏： study Node MCU

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简介

由于最近做的项目里面设计到不同电压等级（逻辑电平）的交互和通信，于是要整一个电平转换模块。
需求：多路5V转3.3V（单路复用也可）

资料查询

市场分析

市场当然选某宝，搜索电平转换加上电压，就出现了一大堆结果，有用一个MOS管搞定一路的，也有用集成IC搞定多路的，还有的就是两个MOS管搞定一路。。。。
淘宝搜索电平转换结果
从FDV301的手册上可以看出其典型应用，而且Vgs（th）<1.06V
301MOS管

网络分析

这里简单BIng搜索即可出现不少案例，有单片机通信的、有低压差电源的，当然都是参考参考
有用两个三极管、NMOSFET、肖特基、整流二极管、开关稳压器

NMOS分析

这里看到了三种方法

DG

在这里插入图片描述
在选择 R1 的阻值时，需要考虑两个参数，即：输入的开关速度和 R1 上的电流消耗。当把输入从 0切换到 1 时，需要计入因 R1 形成的 RC 时间常数而导致的输入上升时间、 5V 输入的输入容抗以及电路板上任何的杂散电容。输入开关速度可通过下式计算：
在这里插入图片描述
由于输入容抗和电路板上的杂散电容是固定的，提高输入开关速度的惟一途径是降低 R1 的阻值。而降低 R1 阻值以获取更短的开关时间，却是以增大5V 输入为低电平时的电流消耗为代价的。通常，切换到 0 要比切换到 1 的速度快得多，因为 N 沟道 MOSFET 的导通电阻要远小于 R1。另外，在选择 N 沟道 FET 时，所选 FET 的VGS 应低于3.3V 输出的 VOH。

DS

在这里插入图片描述
NMOS管高低电平分析导通截至，这个就不太懂原作的意思了

DS-GND

在这里插入图片描述
限制条件

实践分析

单9013

在这里插入图片描述
电路图如图所示，实际测出波形如下图，无论C极电压接多少（3.3，5，12）。。输出电压大致稳定在2V。。。。

参考

http://www.kiaic.com/article/detail/912.html
https://blog.csdn.net/y511374875/article/details/83092737
https://blog.csdn.net/z3y3m3/article/details/86226474?utm_medium=distribute.pc_relevant_t0.none-task-blog-BlogCommendFromMachineLearnPai2-1.add_param_isCf&depth_1-utm_source=distribute.pc_relevant_t0.none-task-blog-BlogCommendFromMachineLearnPai2-1.add_param_isCf
https://atta.szlcsc.com/upload/public/pdf/source/20170804/C15310_1501836290440866338.pdf
https://detail.tmall.com/item.htm?spm=a230r.1.14.16.3cef1200TamexX&id=43509819236&ns=1&abbucket=16
https://detail.tmall.com/item.htm?spm=a230r.1.14.30.3cef1200TamexX&id=41275922276&ns=1&abbucket=16