在下管关断后,上管米勒平台开始/结束时,SW电压由0升到VDD,MOSFET的源极和漏极之间产生陡峭的的
d
V
d
t
\frac{dV}{dt}
dtdV。由此在漏栅电容产生的电流会流到栅极,经栅极电阻到地,这样就会在栅极电阻上产生的电压降。这种情况,就会可能发生上下管同时导通,损坏器件。
V
g
s
=
R
g
t
∗
C
g
d
∗
d
V
d
t
(
1
)
V_{gs}=R_{gt}*C_{gd}*\frac{dV}{dt }(1)
Vgs=Rgt∗Cgd∗dtdV(1)
R
g
t
=
R
g
(
e
x
t
)
+
R
g
+
R
d
r
v
(
2
)
R_{gt}=R_{g(ext)}+R_{g}+R_{drv}(2)
Rgt=Rg(ext)+Rg+Rdrv(2)
R
g
(
e
x
t
)
R_{g(ext)}
Rg(ext)为外部栅极电阻,
R
g
R_{g}
Rg为MOS管栅极内阻,
R
g
(
d
r
v
)
R_{g(drv)}
Rg(drv)为驱动IC的电阻;
从公式(1)可以看到,
V
g
s
V_{gs}
Vgs与
R
g
R_{g}
Rgt和
C
g
d
C_{gd}
Cgd呈正向相关,所以减小
R
g
R_{g}
Rg、
C
g
d
C_{gd}
Cgd或输入电压
V
V
V,都可以减小
V
g
s
V_{gs}
Vgs尖峰电压。
实际项目中输入电压一般都是固定值,不能改变,减小
d
V
d
t
\frac{dV}{dt }
dtdV的方法也比较难操作,所以下管关断后出现
V
g
s
V_{gs}
Vgs尖峰时,可以更换
C
r
s
s
/
C
i
s
s
C_{rss}/C_{iss}
Crss/Ciss即
(
C
g
d
/
C
g
s
)
(C_{gd}/C{gs})
(Cgd/Cgs)低的MOS管,或者通过减小
R
g
(
e
x
t
)
R_{g(ext)}
Rg(ext)的方法减小
V
g
s
V_{gs}
Vgs尖峰电压。
改善前的栅极波形
改善后的栅极波形