Multisim中MOS管开关电路尖峰电流吸收电路实例（但延长了通断时间）

说明：此种方法虽然能够使支路上的电流削峰，但同时导致了开关速率变慢，谨慎参考，只是我的一种尝试还需优化！！！
由于MOS管极间寄生电容的存在，尤其是漏极/栅极电容，导致了MOS管开关产生了电流尖峰，而电流尖峰可以看成是一个冲激信号，根据傅里叶变换可知，冲激信号在频域范围很宽，继而此开关电路可能会影响后续硬件测试，例如功放中引入杂波。

此处为了形象看到MOS管开关尖峰电流，在multisim中搭建电路如下，其中R7接信号发生器（1KHz方波），控制MOS管通断，R12和二极管D1是MOS管寄生电容放电电路：



观察可以发现，R7与R12上有着尖峰电流。
此时分析如下，由于每次寄生电容放电以及二极管的反向恢复电流会产生尖峰电流，现去掉二极管，并在MOS管栅极和源极接入电容C2和电阻R6，使得每次低电平来时，寄生电容放电给电容C2充电，以此削峰。


但需要注意的是开关时间从原来的20us延长至了100us，不适合高速电路了！！