本次设计的是收发信机中射频电调滤波器。采用传统的LC参数和变容二极管搭建。
电调滤波器一般耐功率15dBm左右,工程上他的插损相对来说会比较大,2~4dB插损,应用于发射的射频前端,一般可用于抑制近端杂散。
进入正题:
变容二极管的电容值与反向偏至电压的关系C=C0/(1+Vr/V0)^M。
其中C0是PN结在不施加偏置电压下的电容值;Vr是反向偏置电压;V0是常数,P型半导体和N型半导体的接触电势;M是介质层指数,结电容非线性系数,0.5~1.5之间。很多变容二极管没有给出C0和V0,可以通过选两组参数解方程,或者采用ADS仿真,慢慢反推拟合出C0和V0。参考:
下面引入二极管模型:
封装成库。
仿真原理图如下:
经过方正后,可以都得到电调滤波器的波形:
可以看到660MHz插损-0.44dB,基频偏160M处抑制有-20dB,仿真可以看到滤波器的远端会翘起来,所以使用的时候要小心多次谐波的滤除,一般发射后面会再增加低通滤波器把谐波和高频杂散滤除。通过改变V_bais可以使滤波器平移。
电调滤波器不适用于很宽的频段,在V_bais变大到一定程度后,会使得滤波器带内平坦度变差。
改变ParamSweep参数:
仿真后的到波形:
会存在凹坑,同样是V_bais=15V,带内平坦度-1.5dB。所以电调滤波器在100~150M工作带宽内使用还是可以的。
这种理论仿真模型,在实际工程中,为了抑制近端杂散,插损有3dB是正常的。为了更加切合实际,可以把LC参数更换成春田的模型,有些更加的大牛还可以自建模型。