本征半导体的特性
本征半导体是指未掺杂任何杂质的半导体材料(如纯硅Si),其导电性能非常差,原因在于:
半导体的掺杂
为了提高半导体的导电性能,通常需要进行掺杂。掺杂是通过向半导体材料中添加少量杂质元素来改变其电导特性。掺杂可以分为两种主要类型:N型和P型。
N型半导体
-
掺杂元素:通常使用5价杂质元素,如磷(P)、砷(As)等。
-
原理:
- 5价杂质元素与4价硅原子结合形成共价键,硅原子需要8个电子来形成四个共价键,而5价杂质原子多出一个电子。
- 这个额外的电子不参与共价键的形成,成为“自由电子”,增加了载流子的浓度。
- 掺杂后的半导体中,自由电子的数量显著增加,形成N型半导体,其中自由电子为主要载流子。
-
符号及定义:
- N(Negative):表明半导体中主要载流子是负电荷的自由电子。