week4-Lec08

Digital Logical Structures

Semiconductors

Definition

Semiconductors are those materials whose electrical properties lie between conductors and insulators.

Properties of semiconductors

  1. Normally the electrons are shared between neighbors and there is no current flow so it behaves like a insulator(no free electrons);
  2. Adding heat allows some of the bonds to break so the electrons can flow, it behaves like a conductor;
  3. Those free electrons (negative) and holes(positive) are the carriers in the conductors.

Intrinsic Semiconductor

本征半导体: 绝对纯净不含杂质,且无晶格缺陷的半导体

  1. A semiconductor in which there is a balance between the number of
    electrons in the conduction band and the number of holes in the valence band is called an intrinsic semiconductor.
    自由电子和空穴的数量相同,就是本征半导体,只有在无杂质或者晶格缺陷的半导体中这二者才有可能相等。
  2. Valence Band : 一个能量范围, 价电子所在的能量范围就是价带Valence Band
  3. ConductionBand:激发电子所在的能量范围就导带Conduction Band
  4. Conductivity 随着温度的升高而升高

通常所见的半导体

Doping/ Implanting

将半导体材料和其他元素混合从而得到更好的conductivity,其实正常的半导体都不是本征半导体(Intrinsic Semiconductor),包括我们 N-type 和 P-type semiconductor.

自由电子,空穴,P/N型半导体

自由电子与空穴
  1. 半导体在形成共价键的过程中会共用最外层电子,在本征半导体中加热使得共价键断裂,形成自由电子和空穴.,这时候电子和空穴的数量相等,没有多子和少子的概念。 我们也可以通过在本征半导体中doping/ implanting 其他元素来获得拥有不相等自由电子和空穴的半导体., 自由电子和空穴中多数为多子少数为少子.
  2. 另外. 空穴实际上是不能移动的,空穴做carrier的时候依然是电子在移动(表现为空穴移动 ).
P - Type Semiconductor:

在四价silicon中掺入3三价硼B,硼为了不破坏多数元素的晶体机构B原子也要和silicon一起形成晶体(与周围Si原子形成4个共价键),这样B还需要一个电子才能达到稳定,也就是带有一个空穴hole. 这时候晶体中hole为多子,就是P-Type semiconductor(positive).

N - Type Semiconductor:

在silicon中掺入五价磷,磷也要和Si原子一起形成晶体结构但是磷原子只需要三个额外电子, 与其相邻的某一个硅原子就会多出一个电子没法形成共价键, 多出的点子就成了多子, 整个半导体就是P - Type Semiconductor(negative).

P-N Junction 和 Depletion Area(耗尽层)
  1. 半导体一部分掺杂成为 N-Type 一部分掺杂成为 P-Type 中间的接触面就叫做P-N Junction.
  2. 在PN结中由于P的空穴和N的电子互相扩散,在PN结附近相遇中和并形成了一个几乎没有carrier的区域 Depletion Area

CMOS

N/P Type MOS

[image:93046F5C-5B83-4BDA-8EB2-F84583B44AE2-960-00000D6EC78C4C48/WechatIMG3.jpeg]
N -Type 用于连接 low 电位. P - Type 用于连接 high 电位

C(Complementary)MOS

Inverter(NOT Gate)

[image:2B9F101D-2B05-4683-AB0B-AC0B2E6C91EF-960-00000E2915E114E9/截屏2020-02-14下午6.39.03.png]

NOR Gate

[image:13EE2700-FBD6-4306-A1E9-C7F395D6DA79-960-00000E352EE9A908/截屏2020-02-14下午6.39.11.png]

OR Gate = NOR Gate + Inverter

[image:84F8BF9F-B221-44B7-90CE-E4D2D13CC7BD-960-00000E4203C1682D/截屏2020-02-14下午6.39.32.png]

NAND Gate

[image:4EEC40D3-915C-4796-8DE8-3DE21AD82959-960-00000E48997B8736/截屏2020-02-14下午6.39.38.png]

AND Gate = NAND Gate + Inverter

[image:9A81AB67-AADF-44E2-BEB0-D160EAB6645F-960-00000E56B5DE08F8/截屏2020-02-14下午6.39.45.png]

Abstract Logical Gate

[image:F03BF7CF-FEE1-4ABB-AF33-057381F787CC-960-00000E5D180BDA30/截屏2020-02-14下午6.39.51.png]

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