Flash初识学习记录

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方法如下

1. TSOP：封装技术，为目前最广泛使用于NAND Flash的封装技术，首先先在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术(表面安装技术)直接附着在PCB板的表面。TSOP封装时，寄生参数减小，
   优点：因而适合高频的相关应用，操作方便，可靠性与成品率高，同时具有价格便宜等优点，因此于目前得到了极为广泛的应用。
   
   2.FBGA：植球式芯片，主要应用于计算机的内存、主机板芯片组等大规模集成电路的封装领域。
   
   优点：FBGA 封装技术的特点在于虽然导线数增多，但导线间距并不小，因而提升了组装良率，虽然功率增加，但FBGA能够大幅改善电热性能，使重量减少，信号传输顺利，提升了可靠性。
   3.LGA：触点陈列封装。
   

对比

FBGA ：可以使所有计算机中的内存在体积不变的情况下容量提升数倍，具有更小的体积与更好的散热性能

工艺分类

1.单层SLC
2.多层MLC
3.多层TLC

隧道效应

1957 年，受雇于索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esaki，1940～）在改良高频 晶体管 2T7 的过程中发现，当增加 PN
结两端的电压时电流反而减少，江崎玲於 奈将这种反常的负电阻现象解释为隧道效应。此后，江崎利用这一效应制成了隧 道二极管（也称江崎二极管）。

NandFlash

NAND Flash的存储原理是，在写入(Program)的时候利用F-N隧道效应(Tunnel Injection隧道注入)的方法使浮栅充电，即注入电荷；在擦除(Erase)的时候也是是利用F-N隧道效应(Tunnel Release隧道释放)将浮栅上的电荷释放。

nandflash硬件

如何识的硬件时序图

上时序图

时序图 横轴是时间，时序图怎么看呢 ，从左往右看。纵向方向就是一列一列 来看。
然后可以看到发出命令 90,怎么知道的 ，在数据线上发出90这个值，怎么知道它是命令的，就是CLE是高电平。然后给它一个写脉冲。这个写信号的上升沿nandflash就会把数据存进来，它就知道了我是一个命令。

CLE：表示命令锁启用CLE输入，控制发送到命令寄的命令的激活路径。

ALE：地址被锁定在上升沿。

然后接着发出一个0地址，然后就可以读数据了

未完待续。