Flash初识学习记录
方法如下
- TSOP:封装技术,为目前最广泛使用于NAND Flash的封装技术,首先先在芯片的周围做出引脚,采用SMT技术(表面安装技术)直接附着在PCB板的表面。TSOP封装时,寄生参数减小,
优点:因而适合高频的相关应用,操作方便,可靠性与成品率高,同时具有价格便宜等优点,因此于目前得到了极为广泛的应用。
2.FBGA:植球式芯片,主要应用于计算机的内存、主机板芯片组等大规模集成电路的封装领域。
优点:FBGA 封装技术的特点在于虽然导线数增多,但导线间距并不小,因而提升了组装良率,虽然功率增加,但FBGA能够大幅改善电热性能,使重量减少,信号传输顺利,提升了可靠性。
3.LGA:触点陈列封装。
对比
FBGA :可以使所有计算机中的内存在体积不变的情况下容量提升数倍,具有更小的体积与更好的散热性能 |
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工艺分类
1.单层SLC
2.多层MLC
3.多层TLC
隧道效应
1957 年,受雇于索尼公司的江崎玲於奈(Leo Esaki,1940~)在改良高频 晶体管 2T7 的过程中发现,当增加 PN
结两端的电压时电流反而减少,江崎玲於 奈将这种反常的负电阻现象解释为隧道效应。此后,江崎利用这一效应制成了隧 道二极管(也称江崎二极管)。
NandFlash
NAND Flash的存储原理是,在写入(Program)的时候利用F-N隧道效应(Tunnel Injection隧道注入)的方法使浮栅充电,即注入电荷;在擦除(Erase)的时候也是是利用F-N隧道效应(Tunnel Release隧道释放)将浮栅上的电荷释放。
nandflash硬件
如何识的硬件时序图
上时序图
时序图 横轴是时间,时序图怎么看呢 ,从左往右看。纵向方向就是一列一列 来看。
然后可以看到发出命令 90,怎么知道的 ,在数据线上发出90这个值,怎么知道它是命令的,就是CLE是高电平。然后给它一个写脉冲。这个写信号的上升沿nandflash就会把数据存进来,它就知道了我是一个命令。
CLE:表示命令锁启用CLE输入,控制发送到命令寄的命令的激活路径。
ALE:地址被锁定在上升沿。
然后接着发出一个0地址,然后就可以读数据了
未完待续。