Solid state device 指的是这个器件是由固体材料做成的，并且这个器件中电流的导通与关闭都是在这些固体材料中完成的，整个器件中不存在任何的可动组件或者部分。之所以使用这个名字的原因主要是因为和Vacuum tube（真空管），gas-discharge tube以及其他的通过控住某一个组件移动来达到电流通断的机电设备进行区别。
功率器件分类：
- Power Diodes
- Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
- Bipolar -Junction Transistor (BJT)
- Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)
- Thyristors (SCR, GTO, MCT)
1. Power Diodes 功率二极管
电荷存储效应二极管从正向导通到截止有一个反向恢复过程，反向恢复过程产生的原因是由于电荷存储效应。电荷存储效应产生上述现象的原因是由于二极管外加正向电压VF时，载流子不断扩散而存储的结果。当外加正向电压时Ｐ区空穴向Ｎ区扩散，Ｎ区电子向Ｐ区扩散，这样，不仅使势垒区（耗尽区）变窄，而且使载流子有相当数量的存储，在Ｐ区内存储了电子，而在Ｎ区内存储了空穴 ，它们都是非平衡少数载流，如下图所示。
空穴由Ｐ区扩散到Ｎ区后，并不是立即与Ｎ区中的电子复合而消失，而是在一定的路程LP（扩散长度）内，一方面继续扩散，一方面与电子复合消失，这样就会在LP范围内存储一定数量的空穴，并建立起一定空穴浓度分布，靠近结边缘的浓度，离结越远，浓度越小 。正向电流越大，存储的空穴数目越多，浓度分布的梯度也越大。电子扩散到Ｐ区的情况也类似。
我们把正向导通时，非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷存储效应。
当输入电压突然由+VF变为-VR时Ｐ区存储的电子和Ｎ区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：
● 在反向电场作用下，Ｐ区电子被拉回Ｎ区，Ｎ区空穴被拉回Ｐ区，形成反向漂移电流IR；
● 与多数载流子复合。
在这些存储电荷消失之前，PN结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，PN结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略，所以此时反向电流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示PN结两端的正向压降，一般 VR》VD，即 IR＝VR／RL。在这段期间，IR基本上保持不变，主要由VR和RL所决定。经过时间ts后Ｐ区和Ｎ区所存储的电荷已显著减小，势垒区逐渐变宽，反向电流IR逐渐减小到正常反向饱和电流的数值，经过时间tt，二极管转为截止。
由上可知，二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上由于电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。
Ref:
https://www.allaboutcircuits.com/technical-articles/a-review-on-power-semiconductor-devices/
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