存储器分类

数字IC中，存储器大致可分为两类：RAM和ROM。

RAM

广义的RAM可分为寄存器、SRAM、DRAM。

寄存器

狭义的寄存器通常由多个触发器（Flip-Flops）或多个锁存器（Latch）组合而成，读写速度最快，但成本高且面积大（例如每个D触发器由12个晶体管组成）。故常用于CPU内部存储关键配置参数。

（广义的寄存器也可以由SRAM构成）

SRAM

通常由6个（或4个）晶体管构成，不需要动态刷新。常用于高速缓存（cache）。

DRAM

由1个晶体管+1个电容构成，需要附加电路间隔几ms动态刷新（电容充电）以保持数据。对比SRAM，其速度较慢，但成本低、面积小，故可实现大集成度。常用做主存（main memory），例如DDR（DDR SDRAM）。

ROM

按照技术演进顺序，ROM细分出了PROM、EPROM、EEPROM。

PROM

PROM是非易失且不可擦除的一次性可编程ROM，通过施加大电压产生大电流熔断金属丝实现编程，例如EFUSE。

EPROM

EPROM为多次可编程ROM，通过紫外线照射擦除；EEPROM实现了电擦除。

flash

flash具备非易失性且可在线电擦除，属于广义的EEPROM。不同于狭义EEPROM以字节为单位擦除，flash以块为单位擦除，实现了更高的数据密度，从而具备更大的容量。

flash分为nand flash和nor flash两类。

nand flash：

按块（block）擦除、按页（page）读取。由于其地址线和数据线复用，故无法随机寻址。

nor flash：

无页的概念，擦除以块为单位。地址线不与数据线复用，类似RAM可随机寻址读取任一字节，因此具备XIP功能可直接取指运行。

两类flash对比：

由于nand flash的pin复用，故读取速度慢于nor flash。nand flash优势在于擦除和写录更快。nand flash对比nor flash，其电路结构较为简单，数据密度大，且成本低。故大容量flash常采用nand型，小容量flash常采用nor型。在嵌入式系统中，由于nor flash具备字节寻址功能且读取速度更快，故常用于存储bootloader；由于nand flash容量更大，故常用于存放OS kernal和file system，并且用于固态硬盘（SSD）、SD卡、U盘（USB Flash Drive）等。

eMMC

封装了nand flash+flash控制器，用于存储数据和程序的高集成度存储方案，常用于便携式消费电子设备。