同轴线外导体不连续性分析

本文探讨了同轴线的不连续性,包括内导体、外导体和内外导体阶梯的分析,并提供了等效电容的计算公式。通过电磁仿真流程,建立模型,解算等效电容的理论值Cd和计算值C,再用ADS进行验证,确保计算准确性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

同轴线

同轴线是一种屏蔽且非色散的结构,而且同轴线中导波的主模是TEM波,但同时也可传输TE模和TM模,其截止频率为零,对应截止波长趋向于无穷大。是由同轴的两根内、外导体及中间的电介质构成的双导体传输线。一般同轴线外导体接地,电磁场被限定在内外导体之间,所以同轴线基本没有辐射损耗,几乎不受外界信号干扰。其工作频带比双线传输线宽,可以用于大于厘米波的波段。

同轴线的不连续性

如下图所示为同轴线的内外导体半径发生突变所形成的各种阶梯。这种阶梯不连续性,使主模(TEM模)电磁场分布发生畸变,激起高次模。这些高次模是截止的,只在不连续性附近存在,稍远一些即会衰减掉。由于TEM模只有径向,而不连续性只存在于径向上,故这些高次模的电场能量大于磁场能量,可用一个集总元件的并联电容来表示,如图2-2(d)所示。并联电容Cd值的计算,可采用准静态场法或变分法,也可以利用计算机进行数值计算。
下图 同轴线的阶梯不连续性及其等效电路
(a)中,r1、r2是内导体半径,r3是外导体半径。
(b)中,r1是内导体半径,r2、r3是外导体半径。
©中,r1、r2是内导体半径,r3、r4是外导体半径。
(d)是同轴线不连续性等效电路,Zo(1)、Zo(2)分别是两端端口特性阻抗,Cd是等效边缘电容。
在这里插入图片描述

1.内导体阶梯

当同轴线内导体上

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