实验室内如何去除MOSFET封装

在mos的日常使用中若出现不明原因损坏时，会出现需要开盖直接观察的情况。最完美的流程是将MOS寄回厂，封装厂有专用的溶液进行腐蚀，然后他们的工程师会出具失效报告（耗时长，且等来的答案不一定令人满意）。

但很多情况下，我们甚至没有途径和时间将其寄回厂。例如学生党做毕业设计，根本等不了这么久、或者因为就买了几十个根本不睬学生。

所以，下面介绍一种简易的可以在学校实验室就轻易完成的化学开盖手法。

第一步，物理开盖。将MOSFET咔嚓成如图一右边这个样子。（不清楚如何操作可以看我上一篇文章）物理开盖因为手法问题，会残留一些环氧树脂在晶片上。如图一右边mos，晶片上有一个小黑点就是环氧树脂。小黑点下面有一个铝层。我们把铝层去掉了，环氧树脂也就没了。

 

图一

第二步，准备一个烧杯，杯内50ML的水+7ML的氢氧化钠加热至100℃，将图一右侧MOS置入溶液中。其原理为：2Al+2NaOH+6H2O=2Na [Al(OH)4]+3H2↑

其现象为：铝层开始溶解,伴随有气泡产生，如图二。

图2

第三步，等溶液中看不到气泡后，捞出来，注意不要碰到晶片，随着我们的抽丝剥茧，没啥东西可以保护硅晶片了，所以很容易划伤。将MOS自然吹干（去水渍）。

第四步，将处理好的MOS拿到显微镜下观察，分析失效原因。

附录：

图3为物理开盖显微镜下呈现的样子。

图4为去铝层后显微镜下呈现的样子。

注：两图为同一款型号的MOS，但不是同一颗。

可以发现没有了环氧树脂的遮挡，图4看到的烧点比图三清晰很多。

                                                                                                                                                             图三

                                                                               图四