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RSS订阅原创 一文简单看懂DDR芯片规格书
DDR全称：Double data rate，顾名思义为双倍数据速率。所谓的双倍数据速率传输，是由于时钟周期存在两个数据的传输，分别在上升沿和下降沿上，因此总线传输速率为输入时钟频率的两倍。DDR3L和DDR3的区别在于工作电压，DDR3L工作电压1.35V，性能相对于DDR3较差一些，但更省电。DDR3的工作电压为1.5V，性能比DDR3L更优。DDR管脚分为：一、控制线（1）ODT:片上终端使能，在fly by拓扑结构上需要接终端匹配电阻，在T型拓扑结构上不需要接终端匹配电阻。（2）ZQ:
2022-02-23 10:51:17
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原创 无稳态自激谐振器
下图是无稳态自激谐振器的电路设计。什么是无稳态自激谐振器？顾名思义，所谓的无稳态就是电路中没有稳定状态，任何时刻都是在变化的。自激谐振即不需要任何的控制就能自己产生震荡。为方便分析该电路，下文讲解一下该电路的基本原理（与实际稍有偏差，后续将进一步通过抓取波形进行分析）：该电路主要运用了电容两端电压不能突变的原理。由于该电路具有互补对称性，从理论上来说，该电路Q21和Q22的N型三极管应该是同时关断或同时导通的。但是由于每根管子在生产的时候，都具有一定的差异，导致同时上电的三极管会产生先.
2021-07-27 16:42:32
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原创 电压源和电流源
一般的，电压源模型我们一般等效成一个理想电压源串联一个小电阻。 该串联内阻会产生压降，因此，为了给并联的负载提供更高的输出电压，电压源的内阻应该越小越好。 电流源模型我们一般等效成一个理想的电流源并联大电阻。 该大电阻会分部分电流，产生功耗。因此，为了给后级并联的负载提供更大的输出电流，电流源的内阻应该越大越好。...
2021-07-23 15:17:48
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原创 系统复位电路讲解
我们都知道，基本上所以MCU都需要设计复位电路，有的是内部复位，有的是外部复位。而外部复位就需要做电路的复位设计。 为什么需要系统复位？ 系统上电复位的原因是：避免上电时，晶振还未完全启动（跟上电时序相关），会导致主控发一些错误数据，最终引起系统异常。这就需要设计复位电路，使主控在确保晶振完全起振后，再去中断系统复位，提高系统的稳定性。 主控内部复位就不需要工程师操心了，内部基本搭建好电路。只需要工程师在指定的IO口做一些选择操作即可（通...
2021-07-23 14:45:06
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原创 交流电路有效值、最大值、平均值
交流电和直流电的有效值是通过电阻R所发出的热量进行转换而来的，也就是电流热效应我们常说的220V即有效值，在电路设计中，220V通过半波整流或全波整流得到的是平均值，其平均值分别为220*0.45=99V，220*0.9=198V，该电压即为直流电压。下图为200V交流全波整流电路变压器匝数为25：1，那么经过全波整流后：电压平均值为220/25*0.9=7.92V 电压最大值为220/25*√2=12.44V ...
2021-07-23 11:55:19
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原创 DCDC电源同步降压和非同步降压及不同调制方式的特点
一、同步降压 优点：效率高：mos管的内阻非常小，导通压降远比肖特基二极管的正向大同压降小很多。 缺点： 稳定性不足：需要设计驱动电路，避免上下管同时导通的情况，电路较为复杂，导致稳定性不足二、非同步降压 优点： 效率低：肖特基二极管压降较大，相对与mos管产生的功耗较大 缺点：稳定性高：不会出现上下管同时导通。...
2021-07-21 16:06:21
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原创 防反接电路
1、Nmos管防反接电路当输入正接时，V_IN=12V，V_GND=0V。此时，Vgs=12V， Nmos管导通，为电路提供回路。若输入反接时，V_IN=0V，V_GND=12V.此时，Vgs=0V，Nmos管关断，电路无回路。2、Pmos防反接电路当输入正接时，V_IN=12V，V_GND=0V。此时，Vgs=12V， Pmos管导通，为电路提供回路。若输入反接时，V_IN=0V，V_GND=12V.此时，Vgs=0V，Pmos管关断，电路无回路。...
2021-07-21 15:37:33
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原创 网络变压器作用
1、增大传输距离，phy接口的驱动能力有限，不能实现远距离传输。通过网络变压器可以增强信号的传输能力。2、减小phy芯片信号接受过程的干扰，引入网络变压器，可以使phy与网线进行隔离，减小外界的辐射干扰。3、增加phy接收端和发送端的兼容性。如接收端是3.3V，而发送端是5V，若不使用网络变压器是无法进行兼容的。引入网络变压器可以适应信号的传输。总结：1、增大传输距离 2、减小外界辐射干扰 3、提高phy兼容性PS： 网络...
2021-07-21 15:00:19
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原创 双向电平转换电路
双向电平转换电路如图所示：当IO_3V3 拉低时，Pmos管导通，IO_5V=0当IO_3V3 拉高时，Pmos管关断，IO_5V=5V当IO_5V 拉低时，Pmos管因为体二极管的存在，此时IO_3V3会被拉低当IO_5V 拉高时，Pmos不导通，IO_3V3上拉到3.3V，表现为高电平...
2021-07-21 14:40:51
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原创 mos管G级串联电阻作用、mos管选型、米勒平台详细讲解（待补充）
G级电阻一般串联4.7R-100R，在G级电阻串联一个反向二极管的目的是为了保证MOS管的关断速度比导通速度快（若关断速度比导通速度慢，会导致驱动电机时引起串宏，即上桥和下桥同时导通。）
2021-07-18 22:30:16
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空空如也
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