mos管G级串联电阻作用、mos管选型、米勒平台详细讲解（待补充）

        G级电阻一般串联4.7R-100R，在G级电阻串联一个反向二极管的目的是为了保证MOS管的关断速度比导通速度快（若关断速度比导通速度慢，会导致驱动电机时引起串宏，即上桥和下桥同时导通。）

        对MOS管的选型，主要参数为如下：

        1、Vdss即DS极耐压（Vdss）通常选择工作电压的1.5--2倍；

        2、漏极电流（Id）通常选择工作电流的5--10倍；PS：该Id指的是导通后的工作电流大小。静态漏电流应该越小越好。

        3、Rds(on)尽量越小越好。另外G极的Vgs电压范围是±20V以内，几乎所有的MOS管都如此。

        米勒平台：

         我们知道，MOS管的损耗主要在于mos管能否快速进行导通和关断。因此，米勒平台最大的影响是，抑制了mos管的导通和关断的时间。

         为什么米勒效应会抑制mos管导通和关断时间？首先，G级和S级有结电容Cgs，假设mos管完全导通为12V，4V初步导通，那么G级电压会产生一个4V的米勒平台。

        G级电压会对Cgs充电，使G级电压维持在4V。当初步导通的时候，D级电压=S级电压=0V（因为初步导通），此时G级电压会对Cgd充电，该过程使4V的米勒平台进一步延长，即进一步减缓了mos管的导通时间。