G级电阻一般串联4.7R-100R,在G级电阻串联一个反向二极管的目的是为了保证MOS管的关断速度比导通速度快(若关断速度比导通速度慢,会导致驱动电机时引起串宏,即上桥和下桥同时导通。)
对MOS管的选型,主要参数为如下:
1、Vdss即DS极耐压(Vdss)通常选择工作电压的1.5--2倍;
2、漏极电流(Id)通常选择工作电流的5--10倍;PS:该Id指的是导通后的工作电流大小。静态漏电流应该越小越好。
3、Rds(on)尽量越小越好。另外G极的Vgs电压范围是±20V以内,几乎所有的MOS管都如此。
米勒平台:
我们知道,MOS管的损耗主要在于mos管能否快速进行导通和关断。因此,米勒平台最大的影响是,抑制了mos管的导通和关断的时间。
为什么米勒效应会抑制mos管导通和关断时间?首先,G级和S级有结电容Cgs,假设mos管完全导通为12V,4V初步导通,那么G级电压会产生一个4V的米勒平台。
G级电压会对Cgs充电,使G级电压维持在4V。当初步导通的时候,D级电压=S级电压=0V(因为初步导通),此时G级电压会对Cgd充电,该过程使4V的米勒平台进一步延长,即进一步减缓了mos管的导通时间。