模电知识总结（1）

1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后再较大电流下正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后再较大电流下正向压降约为0.2V。

2.二极管的正向电阻小，反向电阻大。

3.二极管的最主要特性就是单向导电性。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

4.二极管最主要的电特性就是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。

5.电子技术分为模拟电子技术与数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。

6.PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有单向导电特性。

7.硅二极管导通后，其管压降就是

恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7V；其门槛电压约为0.5V.

8.二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。

9.P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子-空穴对。

10.因掺杂性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体与电子（N）半导体两大类。