模电笔记之共射放大电路

最近学习了模电，做一下笔记。
基本放大电路分为共射放大电路、共集放大电路以及共基放大电路。
1 共射放大电路中输出回路和输入回路共用发射极，集电极是作为输出回路的一部分，而基极作为输入回路。其中我们又学习了直接耦合和阻容耦合电路。直接耦合没有加电容，电路模型适用于各种频率的电流（不考虑电容本身的结电容情况下）。而阻容耦合因为加了旁路电容等电容器件，在不同的频率特性下，电路的特性不一样。
分析电路时通常先分析电路的静态工作点，因为只有加直流偏置的情况下，输入交流时电路才可以进行工作处于放大区。首先画出直流通路对电路进行分析。（直流也有对应的等效模型，不过我觉得没用，我用不上，都一样，所以可以直接进行分析）。求出相应的静态工作点，然后进行下一步
在动态分析中，将直流电压源短路，直流电流源开路，并假设电路工作在中频情况下，这时候，为了简化计算和转化成我们熟悉的模型（并不是物理模型，）进行计算，我们可以将放大电路等效成一个H参数的二端网络，因为在输入输出特性曲线中我们可以知道，Ube和Ic都受到Ib和Uce的控制。

其中由输入特性曲线可知，当Uce》=1时，对Ube影响几乎等效于Uce=1时，同理，对于Ic也是。因为三极管里面所需携带的载流子本来就有限，当到达极限时，你加再大的电压也没有影响。其中h12我们成为内反馈系数，h11具有电阻的量纲，h21无量纲，h22=1/Rce(其中ce之间的电阻看成是无穷大）be之间的内容等效成一个电阻，而Ib和Ic之间构成了一个流控电流源的关系。

因此我们就完成简化运算的第一步了。然后就是求出对应的参数。其中β我们可以查表找到。而Rbe等于什么呢。首先等效于基区和发射区之间的电阻，也就是基区的体电阻加上发射结的结电阻和发射区的体电阻啦。因为发射区载流子浓度高，所以电阻小，我们可以忽略掉。而结电阻我们可以参照二极管所学的动态电阻，因而

好啦，到这里我们就完成了等效模型的构建。以后认准bce点就可以简单地进行转化运算啦。共集和共基放大电路也是这样转化的。
其次是关于温度对于静态工作点的影响。温度变化，载流子浓度变化，因而IBQ和ICQ会跟着变化，那我们求出来的数值便是不准确的。为了使温度变化时，静态工作点稳定，也就是在IB左移时或者IC左移时，我们可以通过调节Ube的值来使得静态工作点稳定，我们在发射区串联一个电阻R，和在输入电路中串联一个电阻使得Ib变化时，Ub的电压保持不变。其中假设Ic不变，（两个变量不好分析啊），当Ib增大时，Ub不变，Ue增大，于是Ube就得减小，Ib就减小。R起到了负反馈调节的作用，但是加了电阻的情况下，输出电压的放大倍数会减小，于是我们可以在R两端并联一个电容，在交流下相当于都短路。但是加上电容的话，很难集成。差分电路就完美地解决了这个问题。

不过我做题以来很少出现需要考虑温度的情况。